电子科技大学-集成电路原理实验-CMOS模拟集成电路设计与仿真-王向展.docVIP

. . . . 实 验 报 告 课程名称： 集成电路原理 实验名称： CMOS模拟集成电路设计与仿真 小组成员： 实验地点： 科技实验大楼606 实验时间： 2017年6月12日 2017年6月12日 微电子与固体电子学院 . . 一、实验名称：CMOS模拟集成电路设计与仿真 二、实验学时：4 三、实验原理 1、转换速率（SR）：也称压摆率，单位是V/μs。运放接成闭环条件下，将一个阶跃信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得运放的输出上升速率。 2、开环增益：当放大器中没有加入负反馈电路时的放大增益称为开环增益。 3、增益带宽积：放大器带宽和带宽增益的乘积，即运放增益下降为1时所对应的频率。 4、相位裕度：使得增益降为1时对应的频率点的相位与-180相位的差值。 5、输入共模范围：在差分放大电路中，二个输入端所加的是大小相等，极性相同的输入信号叫共模信号，此信号的范围叫共模输入信号范围。 图 SEQ 图 \* ARABIC 图 SEQ 图 \* ARABIC 1两级共源CMOS运放电路图 实验所用原理图如图1所示。图中有多个电流镜结构，M1、M2构成源耦合对，做差分输入；M3、M4构成电流镜做M1、M2的有源负载；M5、M8构成电流镜提供恒流源；M8、M9为偏置电路提供偏置。M6、M7为二级放大电路，Cc为引入的米勒补偿电容。 其中主要技术指标与电路的电气参数及几何尺寸的关系： 转换速率：SR= 第一级增益：A 第二级增益：A 单位增益带宽：GB= 输出级极点：P 零点：Z 正CMR：V 负CMR：V 饱和电压：V 功耗：P 四、实验目的 本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置，为IC设计性实验。其目的在于： ? 根据实验任务要求，综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路设计，掌握基本的IC设计技巧。 ? 学习并掌握国际流行的EDA仿真软件Cadence的使用方法，并进行电路的模拟仿真。 五、实验内容 1、根据设计指标要求，针对CMOS两级共源运放结构，分析计算各器件尺寸。 2、电路的仿真与分析，重点进行直流工作点、交流AC和瞬态Trans分析，能熟练掌握各种分析的参数设置方法与仿真结果的查看方法。 3、电路性能的优化与器件参数调试，要求达到预定的技术指标。 4、整理仿真数据与曲线图表，撰写并提交实验报告。 5、运放指标要求： 驱动负载电容CL为1.5pF； 开环增益Av≥65dB； 增益带宽积GB≥60MHz； 转换速率SR≥20V/μs； 输入共模范围0.6V到2.8V； 输出电压摆幅大于2.3V； 相位裕度45°≤PM≤75°。 六、实验仪器设备 （1）工作站或微机终端 一台 （2）EDA仿真软件 1套 七、实验步骤 1、参数计算： 由umc18工艺得对应的一些基本参数： Vthn=0.59，Vthp=0.72，un=341，up=81，tox=7e-9，Lmin=3.4e-7， 通过计算得出参数： Kn=1.68e-4，Kp=4e-5 （1）计算最小补偿电容Cc 根据指标要求，在此预设相位裕度为60°，则由零点Z1和第二极点P2对补偿电容的要求，得：（P22.2GB） C 保守做法，取Cc为0.5pF。 （2）由SR、Cc求出偏置电流I5： I 此为最小I5，取I5=20uA。 （3）用CMR计算(W/L)3: W =20× =3.65 （4）由GB、CC求出gm1、gm2 g W （5）计算(W/L)6 g g W I （6）计算(W/L)7 W （7）剩余参数的确定 M9和M8构成偏置电路给M5提供栅压，M8和M5又构成电流镜，由于M5工作在饱和区间，所以由经验取(W/L)9=1.2，(W/L)8=10。 （8）利用计算所得参数对电路进行仿真，根据仿真结果再进行细调参数。根据实验原理和设计指标要求，最终各个元器件的参数如表1所示；Candence下电路图如图2所示。 表 1 运放各器件版图参数 器件 W（μm） L（μm） M1 40 2 M2 40 2 M3 3.9 1 M4 3.9 1 M5 6 0.5 M6 60 0.5 M7 44 0.35 M8 5 0.5 M9 1.2 1 CL 1.5pF Cc 0.6pF 图 SEQ 图 \* ARABIC