第七节 放大器的频率响应 二、计算实例 例1 试画出图4-7-2所示RC低通电路的波特图,并导出上升时间表达式。 解 设输入和输出的拉氏变换分别为Vi(s)和Vo(s),它们之间的关系为 4.7.2 共发放大器的频率特性 在讨论共发放大器的频率特性时,有必要先介绍晶体三极管的频率参数,这些参数是评价晶体三极管高频性能的特征参数。 一、晶体三极管的频率参数 二、密勒定理及其单向化近似 1.密勒定理(Miller’s Theorem) 2.单向化近似 三、增益与上限频率 4.7.3 共集和共基放大器的频率响应 一、共集放大器 二、共基放大器 图4-7-16(a)为共基放大器高频工作时的交流等效电路 4.7.4 宽带放大器 在众多电子设备中,为了适应日益发展的应用需要,要求放大器的上限频率越来越高,从几MHz直到几千MHz。为了扩展上限频率,除了改进集成工艺,提高管子的fT以外,还在电路中广泛采用负反馈、组合电路和电流模等技术。其中,负反馈技术将在下一章中作介绍。这里仅介绍组合电路和电流模技术展宽上限频率的原理。 一、组合电路宽带放大器 在集成宽带放大器中,广泛采用共发—共基和共集—共发两种组合电路,分别如图4-7-17(a)和(b)所示。 在图4-7-17(a)所示共发—共基组合电路中,由于共发电路的上限频率远小于共基电路,因此组合电路的上限频率主要取决于共发电路。现在利用共基电路输入阻抗小的特性,将它作为共发电路的负载,就可有效地克服共发电路中的密勒倍增效应,使D趋近于1,从而扩展了共发电路,亦即组合电路的上限频率。显然,这种组合电路特别适用于放大器输出负载较大的应用场合。 二、电流放大器和电流模电路 1.电流放大器 2.电流模电路概述 评价放大器高频性能的另一指标是增益带宽积 (Gain-Band width Product),用GBW表示,定义 为中频区增益与上限频率相乘积的绝对值。对于 共发放大器 (4-7-23) 综上所述,可得出下列结论: 总之,要扩展共发放大器的上限频率,应使其 输入和输出节点为低阻节点(即减少Rs和R’L),但 最终受到管子fT的限制。 上述结论同样适用于场效应管共源放大器。这 里不再重复。 图4-7—14(a)为共集放大器在高频工作时的交流等效电路,图中,R’L=RL//RE//rce。 由图可见,它有两个电容,对应有两个极点。当 s?∞时,1/(sCb’c)?0,相应的Vo(s)?0,表明有一个s?∞的零点,因此,它是含有一个零点、两个极点的二阶系统。通常Cb’c很小,其容抗远大于(Rs+rbb’),因而Cbc可忽略,等效电路便简化为图4-7-14(b)所示的一阶系统。 将并接在Cb’e上的电路单独画在图4-7-15上,求并接在Cb’c上的总电阻Rt。为此,两端加电压v,相应产生的电流 i=i1+i2,其中i1=v/rb’e, i2 由下列方程求得 经推导,它的源电压增益函数为 (4-7-24) 式中, 为中频区源电压增益, 和 分别为零点和极点角频率,它们分别 (4-7-25) (4-7-26) (4-7-27) 即 (4-7-28) 其值显然远比共发放大器高,且随Rs减少而增大。 显然,对这种复杂电路,一般都必须借助计算机进行分析。这里,为了便于说明共基放大器上限频率高的特点,忽略rbb’和rce,将电路简化,如图4-7-16(b)所示。 由图求得 经整理得 因此,对Ie(s)而言,eb’间的电路可等效为re与Cb’e的并联电路。而对输出端而言,它是由受控电流源gmVeb’(s)激励的电路。根据上式 根据上述分析,将图4-7-14(b)进一步转化为图4-7-16(c)所示电路。 由图可见,简化后的共基电路为无零二阶系统。它的源电压增益函数为 (4-7-29) 式中 (4-7-30) (4-7-31) (4-7-32) 上述结果表明, 很高,接近 ,而Cb’e很小,相应的 也很高。因此,共基放大器的上限频率远比共发放大器高。从物理概念上说,共基放大器的上限频率之所以高,除了没有密勒倍增效应外,主要是共基放大器为理想的电流接续器,能够在很宽的频率范围内(ffa)将输入电流接续到输出端。除非只;上并接大的负载电容,共基放大器的上限频率才会受到负载电路的限制。 上面介绍了共集和共基放大器的频率特性。至于它们的输入和输出阻抗,其大小仍保持其固有的特性,即:共集电路的输入阻抗大,输出阻抗小;共基电路的输入阻抗小,输出阻抗大。不过,对共集电路而言,当其输出负载上并接较大电容时,通过分析发现,其输入阻抗中的电阻分量将为负值。在这种情况下,放大器有可能产生自激而无法正常工作。 在图4-7-17(b)所示共集—
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