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《半导体光电器件封装工艺》 电子教案 总主编：陈振源 主 编：战瑛 张逊民 职业院校理论实践一体化系列教材（光电子技术专业） 任务一 识别芯片信息 任务二 扩晶工艺的学习 任务三 芯片的镜检 项目二 学习扩晶工艺 任务一 识别芯片信息 一、芯片信息识别 1、芯片的光学特性 芯片的颜色、 发光强度、波长等 2、芯片的电学特性 工作电压、工作电流等 3、其他信息 芯片型号、芯片等级、厂商信息、生产日期、是否符合ROHS指令等 芯片信息标签 二、芯片的存贮 一般应该整齐存放在有氮气保护的电子干燥箱内 温度应该在室内的温度，约20~30℃左右 湿度不易大于40％ 任务二 扩晶工艺的学习 一、扩晶的目的 扩晶也叫绷片，是将原本紧密排列在一起的芯片分开至适合刺晶的距离。 在手动封装工艺中，需进行扩晶操作。 二、扩晶设备 三、扩晶工艺过程 将扩晶机的气路与电路连接好，打开扩晶机。设定机台的工作温度。待扩晶机的实际温度达到工作温度以后，打开扩晶压圈，将扩晶环内环放在托盘上。在离子风机前慢慢将芯片保护膜与芯片分离，将撕开的芯片朝上放置在托盘上，放下压圈并钩好拉钩。缓慢地按“上升”按钮，慢速将芯片扩开至所需间隔。平整地套上扩晶环外环后按“下压”按钮，待内外环完全啮合后松开。取下已经扩好的芯片，按“下降”按钮，松开压圈，取出多余的空膜片。 四、扩晶技术要求 芯片扩晶距离要求： 芯片扩晶前芯片间距约为（200～250）μm， 扩晶后芯片间距约为（800～1000）μm 需要绷片的芯片不宜过大，绷片后芯片不能到达边缘 扩晶之前通常要进行翻膜工作 任务三 芯片的镜检 一、芯片的分选 为了保证光电产品的质量，在光电器件在做成产品前，光电器件的厂家都要对其生产的产品进行必要的筛选，通过对芯片的电、光、色、热等参数的测试，剔除废品和次品，提高产品的可靠性和一致性，这也就是常说的测试分选工艺。 测试分选的方法 以芯片为基础的测试分选 对封装好的器件进行测试分选 二、芯片的镜检 芯片的镜检是使用显微镜人工剔除残片、次片等外观不符合生产规范的芯片，提高芯片的一致性。 思考与练习 请选择一张芯片，通过芯片后的标签来识别芯片的基本信息。 芯片应该如何存放？ 为什么要对芯片进行扩晶操作？ 扩晶工艺对要扩晶的芯片有什么要求？ 扩晶后对芯片与芯片之间间距的要求多大？ 扩晶工艺进行前，为什么要进行翻膜操作？ 扩晶过程有哪些环节会产生静电？如何避免？ 为什么要对生产的芯片进行镜检？ 半导体光电器件产业中，有哪些产品分选的方法？ 请说出单面电极芯片与双面电极芯片有哪些区别。 * *
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