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工作总结报告 Contents 光 刻 机 的 发 展 一.光刻机的发展主要从二十世纪70年代到现在，从早期的线宽5微米以上到现在的亚微米尺寸，从汞灯光源到KrF等，按曝光方式大致将光刻机分为五代。 五 代 光 刻 机 光 刻 机 的 发 展 光 刻 机 的 发 展 光刻机的发展所伴随的参数变化 Resolution limit AND DOF 一.Resolution Limit FOCUS AND DOF 光刻工艺控制 光刻工艺控制 Mis-Alignment: Misplacement in x-direction Misplacement in y-direction 光刻工艺控制 光刻工艺控制 光刻工艺控制 Add your company slogan * * Company LOGO Resolution limit AND DOF 2 工艺问题处理 4 光刻机的发展 3 1 RETMAN程序设计 3 3 Future 步进重复光刻机 分步重复光刻机 扫描投影光刻机 接触式光刻机 接近式光刻机 因为接触容易污染，每5到25次需要更换掩模版。 二十世纪70年代主要光刻手段。采用紫外光UV光曝光。可以减小失真，能够在硅片表面形成高分辨率的图形。 接触式光刻机 工作能力下降 减小了分辨能 力，获得小的 关键尺寸成问 题 接近式光刻机 缓解了沾污问 题。 机器容许偏差控 制的要求，定 位容差要求不超 过几十纳米 机器制造难度和 镜头的制造难度大 步进传动误差小 于特征尺寸的1/10 是一种混合设备融合了扫描和分步光刻机 解决了细线条下CD的均一度 为了解决曝光场的限制和关键尺寸减小等问题 20世纪80年代 后期，可以使用 缩小透镜 提高了套刻均 一度，提供了高 分辨率 因为采用1:1的 掩模版，若芯片 中存在亚微米 尺寸，掩模版 不能做到无缺陷 20世纪80年代初 解决了沾污和 边缘衍射 接近式光刻机 扫描投影光刻机 分步重复光刻机 步进扫描光刻机 数值孔径 分辨率 套准精度 NA 分步重复　　0.3－0.6 步进扫描　　0.75-1.3 　　 分步重复光刻机 步进扫描 Resolution（微米） 分步　0.7－0.15 步进扫描　0.22－0.09 套准精度 从小于70纳米到小于 45纳米 影响光刻机的一些因素 温度：温度对掩模版台、光学元件、承片台和对准系统产生影响。所以高温照明系统和电源通常放在远离设备主体的地方。 湿度：湿度能影响空气密度，不利于光通过；从而对干涉计定位、透镜数值孔径和聚焦产生不利影响。 振动：振动的发生将给定位、对准、聚焦和曝光带来问题。可能产生定位错误、对准错误、离焦和不均匀曝光。 大气压力：大气压力的变化可能影响投影光学系统中空气的折射率。将导致不均匀线宽控制和极差的套准精度。 定义为清晰分辨出硅片上间隔很近的特征图形的能力。 图形的分辨率与设备的光学特性采用的光刻胶及光刻工艺环境有关 Resolution LIGHE SOURCE Process/resist improvements Improved optical schemes Lens design improvements Resolution limit AND DOF 代价 Lower k1 High NA Smaller λ 更换光源 光源的成本增加，准分子激光的输出功率较小，光刻胶也需要进行改进 DOF越小，意味着镜 头的材料改变 工艺改进的问题， Resolution limit AND DOF Wavelength of Lithography System 390 450 我们目前所用光刻机的曝光 波长是390－450纳米 数值孔径NA为0.315 K1的值在0.6－0.8之间 理论值Resolution 在 0.8到1.2 实际参考值为1.25 Diagram 一.DOF的定义 焦点周围的一个范围，在这个范围内图像连续的保持清晰，这个范围被称为焦深或DOF。 描述焦深的方程式是： K2的数值范围在0.8到1.2之间 FOCUS AND DOF RETMAN PROGRAM 三.RETMAN Program Design The Reticle manager software program, designed for use in the HP9826 computer. The retman program performs some main functions. The retman program which contain alignment mark locations, focus, and exposure information, is used by t