Summer School 2008
Summer School 2008 on Wide Bandgap Semiconductor Physics and Devises(2008WSPD)
31July-6 August, 2008 Dalian
2008年宽禁带半导体暑期学校
通知
本次暑期学校受国家自然科学基金委员会委托并资助,由北京大学宽禁带半导体研究中心与国家半导体照明工程研发及产业联盟主办,定于2008年7月31日-8月6
暑期学校已经纳入北京大学研究生院暑期教学计划,对完成学习内容并通过考试的在读研究生或本科生,北京大学研究生院提供学分和学习证明;对其他学员可以提供学习证明。
欢迎国内外从事宽禁带半导体领域科研、产业和教学的各界人士及研究生踊跃参加!
暑期学校将请专家对以下领域作专题性的讲学和授课:
(1). 宽禁带半导体物理和器件:
GaN基高功率LED
GaN基LED的封装和应用
GaN基深紫外LED和探测器
GaN基稀磁半导体和自旋电子学
GaN基高功率LD设计
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)及应用
(2). 宽禁带半导体产业与应用:
纳米结构和ZnO材料
半导体照明技术
LED和LD技术瓶颈、机遇及市场
LED和LD关键技术研究
AlGaN/GaN HEMT应用与市场
纳米材料的潜力与应用
ZnO材料的应用与表现
III-N材料系的创新与进步
组织
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