第七章半导体表面与MIS结构.pptVIP

4、陷阱电荷 在Si-SiO2界面处附近，会有一些载流子的陷阱， 由于辐照的原因，使得在SiO2中产生一些电子空 穴对，电子在外加电场作用下，被扫向栅结，而 空穴难以移动会被陷阱俘获，形成正的空间电荷。 但辐照感应产生的空间电荷可以通过300℃ 以上 退火消除。 所以，后处理对MOSFET的性能的稳定是 非常重要的。 §7.5 表 面 电 导 及 迁 移 率 1.表面电导 特点： 表面电导的大小应取决于表面层内载 流子的数量及其迁移率。 载流子数量及迁移率越大，表面电导 也越大。 半导体的表面电导也随周围环境变化。 应用： 垂直于表面方向的电场形成的表面势 可控制表面电导－－ MOS场效应管。 由于表面电场的作用，在半导体表面层引起的 附加空穴和电子数（△p 、△n ），其值由表 面势VS 等决定。 多子积累时电导增加；当表面势变化时表面处于 耗尽状态，表面电导较小。如在平带时的表面电 导为 所以： 2. 表面载流子的有效迁移率 载流子的有效迁移率是指其在表面层中的平均迁移率。 由表面层电子贡献的表面电导应为： 设在离表面距离为x处电子的浓度和迁移率分别为 及 ，则该处的电导率为 对整个表面积分 表明在表面存在表面存在与晶格散射相类似的散射机构。 上式除以表面层内电子形成的单位面积电荷Qn的绝对值，则得电子的有效迁移率为 此外还发现，有效迁移率还于温度有关， 主要