结晶方法讲义.pptVIP

根据以上扩散学说，溶质依靠分子扩散作用，穿过晶体表面的滞留层，到达晶体表面；此时扩散的推动力是液相主体的浓度与晶体表面浓度差； 而第二步溶质长入晶面，则是表面化学反应过程，此时反应的推动力是晶体表面浓度与饱和浓度的差值 扩散方程 扩散过程 表面反应过程 — 质量传递速度 Kd—扩散传质系数 Kr—表面反应速度常数 C，Ci，C*—分别为溶液主体浓度、溶液界面浓度、溶液饱和浓度 将以上二式合并，可以得到总的质量传递速度方程： 其中 当Kr很大时，K近似等于Kd，结晶过程由扩散速度控制； 反之Kd很大，K近似等于Kr，结晶过程由表面反应速度控制； 为了简化方程的应用，可以假定晶体在各个方向的生长速率相同，这样就可以任意选择某一方向矢量的变化，来衡量晶体体积的变化，公式就可以简化为： 影响晶体生长速度的因素 杂质：改变晶体和溶液之间界面的滞留层特性，影响溶质长入晶体、改变晶体外形、因杂质吸附导致的晶体生长缓慢； 搅拌：加速晶体生长、加速晶核的生成； 温度：促进表面化学反应速度的提高，增加结晶速度； 晶体纯度计算 β—分离因素 Ep—结晶因素，晶体中P的量与其在滤液中的量的比值 Ei—结晶因素，晶体中杂质的量与其在滤液中的量的比值 晶体大小分布 晶体群体密度 结晶过程中产生的晶体大小不是均一的。因此，需要引入群体密度的概念来加以描述： N—单位体积中含有尺寸从0~l的各种大小晶体的数目； 连续结晶过程的晶群密度分布 是分析连续结晶器操作过程的最佳近似法 n—晶群密度 no— l趋近于0时的晶群密度 Q—晶浆流出速率 V—结晶器有效装液容积 晶体大小 Q—晶浆流出速率 V—结晶器有效装液容积 Gr—晶体生长速度 提高晶体质量的方法 晶体质量包括三个方面的内容： 晶体大小、形状和纯度 影响晶体大小的因素： 温度、晶核质量、搅拌等 影响晶体形状的因素： 改变过饱和度、改变溶剂体系、杂质 影响晶体纯度的因素： 母液中的杂质、结晶速度、晶体粒度及粒度分布 晶体结块 晶体结块是一种导致结晶产品品质劣化的现象，导致晶体结块的主要原因有： 结晶理论：由于某些原因造成晶体表面溶解并重结晶，使晶粒之间在接触点上形成固体晶桥，呈现结块现象； 毛细管吸附理论：由于晶体间或晶体内的毛细管结构，水分在晶体内扩散，导致部分晶体的溶解和移动，为晶粒间晶桥的形成提供饱和溶液，导致晶体结块。 重结晶 经过一次粗结晶后，得到的晶体通常会含有一定量的杂质。此时工业上常常需要采用重结晶的方式进行精制。 重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合适的溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体的操作。 重结晶的操作过程 选择合适的溶剂； 将经过粗结晶的物质加入少量的热溶剂中，并使之溶解； 冷却使之再次结晶； 分离母液； 洗涤； 蒸发型冷凝器 结 晶Crystallization 主要知识点 结晶的概念 结晶操作的特点 凯尔文公式的内容 饱和温度曲线和过饱和温度曲线 溶液中晶体析出的条件 影响晶体形成的主要因素 晶种的作用 过饱和溶液形成的方法 晶体生长的扩散学说及其具体意义 常用的工业起晶方法 影响晶体质量的因素 重结晶的概念 结晶的概念 溶液中的溶质在一定条件下，因分子有规则的排列而结合成晶体，晶体的化学成分均一，具有各种对称的晶体，其特征为离子和分子在空间晶格的结点上呈规则的排列 固体有结晶和无定形两种状态 结晶 析出速度慢，溶质分子有足够时间进行排列，粒子排列有规则 无定形固体 析出速度快，粒子排列无规则 几种典型的晶体结构 结晶操作的特点 只有同类分子或离子才能排列成晶体，因此结晶过程有良好的选择性。 通过结晶，溶液中大部分的杂质会留在母液中，再通过过滤、洗涤，可以得到纯度较高的晶体。 结晶过程具有成本低、设备简单、操作方便，广泛应用于氨基酸、有机酸、抗生素、维生素、核酸等产品的精制。 结晶过程分析——几个概念 饱和溶液：当溶液中溶质浓度等于该溶质在同等条件下的饱和溶解度时，该溶液称为饱和溶液； 过饱和溶液：溶质浓度超过饱和溶解度时，该溶液称之为过饱和溶液； 溶质只有在过饱和溶液中才能析出； Kelvin公式 C2---小晶体的溶解度； C1---普通晶体的溶解度 σ---晶体与溶液间的表面张力；ρ---晶体密度 γ2---小晶体的半径； γ1---普通晶体半径 R---气体常数； T---绝对温度 溶质溶解度与温度、溶质分散度（晶体大小）有关。 结晶过程的实质 结晶是指溶质自动从过饱和溶液中析出，形成新相的过程 这一过程包括： 溶质分子凝聚成固体 分子有规律地排列在一定晶格中 这一过程与表面分子化学键力变化有关