一种基于厚膜陶瓷电容的微位移传感器.pptVIP

提 要 一、传感器的设计 二、厚膜电容式微位移传感器的研制 三、信号处理电路设计与优化 四、微位移传感器性能优化 五、微位移传感器性能检测与结果分析 六、总结与展望 变间隙式电容传感器原理及结构示意图 传感器电容芯片的电极示意图 理论仿真分析 结构设计及其优化 设计图（部分节选） 电容芯片的电极版图（部分节选） 二、厚膜电容式微位移传感器的研制 总体工艺流程 传感器工艺研究 工艺条件对传感器性能的影响分析； （1）两电极之间的间隙δ； （2）电极面积 ； （3）结构材料、电极材料； 电容电极间填隙材料的选择； 印刷、烧结工艺的控制及优化： （2）电极面积（电极直径） 电容芯片包括陶瓷盖板（厚）和弹性膜片，均选用96%Al2O3陶瓷材料； 电容芯片的上下电极由（Pd-Ag）导体浆料印刷、烧结而成，导电性能优良而且其热膨胀系数低、温度系数小； 传感器工艺条件与传感器性能间关系 提高分辨率和灵敏度：减小间隙δ、弹性膜片的厚度； 线性：弹性膜片的平整度、传感器输出等工艺因素； 规律（结构、尺寸、工艺）； 电容芯片的厚膜印烧工艺流程 三、信号处理电路设计与优化 电容芯片的输出容量小，只有几皮法或几十皮法，必须放大处理； 高增益、低噪声放大电路设计； 容转压专用芯片 CAV414是一款多用途处理电容式传感器信号的转换接口集成电路： CAV414能够检测一个被测电容和参考电容的差值； 可以检测从10pF到2nF的电容值，输出0~5V电压，满足本项目使用要求； 便于使用，仅需很少几个外接元件即可与CAV414组成多种用途的电容式信号转换电压输出接口电路； CAV414容转压芯片工作原理图 电路原理图 信号处理电路（2008版） 传感器的非线性分析与补偿 传感器非线性产生的主要原因： 边缘效应; 寄生电容； 温、湿度的干扰； 边缘效应引起的非线性 当极板厚度t和间隙δ之比相对较大时，边缘效应的影响就不能忽略; 边缘电场将发生畸变，使工作不稳定，非线性误差增加。 边缘效应造成传感器边缘电场畸变，使工作不稳定，非线性误差增加 克服边缘效应造成传感器边缘电场畸变； 增加性能稳定性，减小非线性误差。 边缘效应的消除方法 增设补偿电容：在结构设计时,采用带有补偿电容(保护环)的结构，为消除边缘效应的影响，； 补偿电容与测量电容同心，电气上绝缘，且间隙越小越好； 补偿电容始终保持等电位，以保证测量电容（中间工作区）始终得到均匀的电场分布。 寄生电容干扰的排除 传感器电容芯片的初始容量小（约20pF）： 对寄生电容干扰敏感；易导致传感器不稳定； 排除办法： （1）引线加粗、变短； （2）有效接地和屏蔽； （3）电路板的设计、布线及其优化； 提高传感器的温/湿度稳定性 温度和湿度改变时，会导致传感器特性的漂移； ? 选用温度系数小、性能稳定的结构材料；上盖板和弹性膜片由96%Al2O3陶瓷构成，热膨胀系数低、温度系数低； ? 测量、参考电极分别采用Pd-Ag导体浆料印刷、烧结绍而成，热膨胀系数低、温度系数低，导电性能优良 ； ? 增大传感器的输出； ? 引线设计粗短，克服寄生、分布电容引起的干扰和不稳定。 处理电路的厚膜集成化 PCB电路板通过插针与传感器连接，接出线长，极易产生寄生电容等干扰； 采用厚膜集成技术，不用PCB电路板，将放大信号处理电路、电容数字转换芯片、补偿电路直接印烧在陶瓷盖板上； 接线短，减小引线带来的寄生电容干扰，显著提高抗干扰能力，性能稳定； 五、微位移传感器性能检测与结果分析 不同时期的厚膜电容芯片 量程: 0 ~ 2000 nm; ΔS = 400 nm； 非线性: 1.5% 量程: 0 ~ 250 nm; ΔS = 50 nm； 非线性: 3.5% 量程: 0 ~ 100 nm; ΔS = 20 nm； 非线性: 4% 量程: 0 ~ 50 nm; ΔS = 10 nm； 非线性: 7% 2010型标定结果（部分节选） 量程: 0 ~ 200 nm; ΔS = 20 nm 非线性: 0.1% 量程: 0 ~ 100 nm; ΔS = 10 nm； 非线性: 0.1% 量程: 0 ~ 50 nm; ΔS = 5 nm； 非线性: 2% 量程: 0 ~ 20 nm; ΔS = 2 nm 非线性: 4.5% 传感器的总体评价 动态响应速度快（≈80Hz）； 功耗小（≈20mW）； 灵敏度高、分辨率高（1~2nm）； 结构简单； 稳定性高； 六、总结与展望 开展基于厚膜电容传感原理的纳米级位移测量的特征信息提取方法研究，研制了一种厚膜陶瓷电容式微位移传感器，分辨率可达1~2nm ； 适应微纳环境下机器人化操作需求，开