涂硼GEM中子束监测器的模拟-中国科学院高能物理研究所.ppt

* * 涂硼GEM中子束监测器的模拟 王艳凤@高能物理研究所 wangyanfeng@ihep.ac.cn 1/22 contents 涂硼GEM中子束监测器的介绍 GEM膜性能的模拟 模型的建立（ANSYS） 场强的分布（Garfield） GEM中子束监测器的模拟 增益 单电子 中子（α、7Li） 2/22 涂硼GEM中子束监测器介绍 n α e e e 10B Readout GEM 使用双层GEM对原初电离放大，整个信号宽度在200ns左右。 使用10B作为转换层，实时的监测中子束流强度，为后续探测器提供归一化参数，减小实验误差。 3/22 GEM膜性能的模拟 模型的建立（ANSYS） 根据GEM膜的几何特征，构建最小单元格。 通过有限元分析方法计算探测器中电磁场的分布情况。 电势 场强 4/22 电场强度的分布（Garfield） 模拟气体探测器的性能，计算粒子在探测器中产生的电离电荷并且追踪其雪崩和漂移过程。 GEM膜性能的模拟 电子产生雪崩倍增现象的阈值场强约11kV/cm GEM膜孔内电场强度分布 GEM膜孔内中心点电场强度 5/22 GEM中子束监测器的模拟—增益 GEM膜增益 GEM增益=（入孔系数×GEM绝对增益×出孔系数） 入孔系数：漂移电子进入GEM孔概率 出孔系数：GEM孔中电子被收集概率 绝对增益：GEM绝对增益随两面电极电压升高而升高，目前实验采用电压为380V GEM监测器的增益 不同的气体比例 Ar:CO2=70：30 Ar:CO2=95：5 不同的模拟方式 Microscopic Monte-Carlo 6/22 GEM中子束监测器的模拟—增益 GEM膜增益—入孔系数（ focus coefficient ） 从漂移区一定范围内随机漂移电子，统计不同电压设置下电子进入GEM孔的数量，得到入孔效率 漂移区长度 0.5cm，模拟使用不同的GEM膜电压 电子入孔率只与Edrift/vGEM的比值有关。vGEM=380v，Edrift=1~3kV/cm 7/22 From Fan Shengnan @ Italy GEM膜增益—出孔系数（ extract coefficient ） GEM孔中电子被阳极收集概率（induct area 0.2cm） GEM中子束监测器的模拟—增益 出孔率与vGEM无关，随Einduct (v/cm)增大，30%电子被GEM膜吸收。 8/22 From Fan Shengnan @ Italy 传输区电场的优化—Etransfer 对于两层GEM监测器而言，传输区电场既影响上层GEM的电子出孔系数，同时也影响下层GEM的电子入孔系数。 两层GEM间的传输区电场需要综合考虑，使得上下两层GEM的总增益（两者乘积）最高。 GEM中子束监测器的模拟—增益 漂移区电场1~3kV/cm时，可以得到较大的入孔系数（约100%）。 较大的收集区电场可以得到较大的出孔系数（70%）。 传输区电场可选用3kV/cm。 9/22 From Fan Shengnan @ Italy GEM监测器的增益 Edrift=1kV/cm，Etransfer=3kV/cm，Einduct=3kV/cm Drift：transfer：induct=5:2:2 (mm) GEM中子束监测器的模拟—增益 不同气体比例与模拟方法对GEM监测器增益的影响 10/22 根据模拟GEM膜的入孔系数、出孔系数等对增益的影响，得到GEM监测器电场优化值，Edrift=1~3kV/cm，Etransfer=3kV/cm，Einduct3kV/cm。 GEM监测器的增益随着CO2比例的减小而提高，随着GEM膜两端电压的增加而指数上升。 Monte-Carlo与Microscopic 模拟方法得到GEM监测器的增益类似，但Microscopic 模拟方法可以得到详细的雪崩电子信息，以下模拟均采用Microscopic 模拟方法。 GEM中子束监测器的模拟—增益 11/22 GEM中子束监测器的模拟—单电子 GEM监测器的参数 Edrift=1kV/cm，Etransfer=3kV/cm，Einduct=3kV/cm vGEM1=vGEM2=380V Drift：transfer：induct=5:2:2 (mm) 单电子在GEM监测器中的雪崩漂移现象，一定量的雪崩电子会被GEM膜吸收。 12/22 GEM中子束监测器的模拟—单电子 GEM监测器的参数 Edrift=1kV/cm，Etransfer=3kV/cm，Einduct=3kV/cm vGEM1=vGEM2=380V Drift：transfer：induct=5:2:2 (mm) 电子雪崩位置 电子终止位置 较多的电子被GEM2下表