第八章1真空蒸发.pptVIP

真空蒸发镀膜机 真空蒸发镀膜机 各有特点，很难说哪种技术优越 * * 19世纪后半叶，热力学发展很快，包括焦耳定律，热力学第一、第二定律等促进了蒸发技术的发展 19世纪号称科学世纪 * 表示大于某一尺寸的粒子的最大数目 * 相变过程中 * 忽略凝聚态的体积 * A值相差不大，主要是B的差别 * 一般的为了有一定的沉积速率，蒸汽压都选在1Pa左右，所以有的源料适合用液体，有的源料适合用固体， 而有些材料不适合用蒸发法来沉积，该图对选盛料坩埚也有意义。 * 半导体相关的材料 * 可固定要蒸发的量，以减少对温度的精确控制 * * * 假设：蒸发物质的分子在蒸发后立即离去，并不回到原来的物质上，则Ph~0 Cu的掺入可以有效抑制电迁移 * * 多蒸发源用于两相的蒸汽压差别很大的合金沉积 采用交替蒸镀法或顺次蒸镀法制作二层或多层膜之后在高温下进行热处理也会达到相同效果，这样使控制变得简单。顺次蒸镀时改变蒸镀顺序会使合金化温度发生变化。 * 对于部分蒸发分解，在源料的分解温度，某一组元为凝聚态，另一组元为气态 * * * 用于决定沉积几何 * * 在分子束外延设备的蒸发枪经常n比较大 * 点源的浪费比较严重些 * * 随着蒸发过程，n逐渐增大 厚度不均匀?电阻不均匀?发热?失效 * TS/Tm0.15,晶带I型的细等轴晶，沉积过程伴随着不断的成核过程，晶粒尺寸5~20nm,孔洞较多(阴影效应)，组织疏松; 0.15TS/Tm0.3, 晶带T型组织，特点是细晶粒的包围下出现部分直径约为50nm的大晶粒，表明晶界具备一定的运动能力; 0.3TS/Tm0.5，晶带II型的柱状形貌； TS/Tm0.5，晶带III型粗大的等轴晶组织。 * 与材料本身关系不大 * 1?有良好的热稳定性，化学性质不活泼，达到蒸发温度时加热器本身的蒸汽压要足够底。 2?蒸发源的熔点要高于被蒸发物的蒸发温度。加热器要有足够大的热容量。 3?蒸发物质和蒸发源材料的互熔性必须很底，不易形成合金。 4?要求线圈状蒸发源所用材料能与蒸发材料有良好的浸润，有较大的表面张力。 5?对于不易制成丝状、或蒸发材料与丝状蒸发源的表面张力较小时，可采用舟状蒸发源。 * the evaporant charge is placed in either a water-cooled crucible or in the depression of a water-cooled copper hearth. The purity of the evaporant is assured because only a small amount of charge melts or sublimes so that the effective crucible is the unmelted skull material next to the cooled hearth. For this reason there is no contamination of the evaporant by Cu. Multiple source units are available for either sequential or parallel deposition of more than one material. * 图表明大角度的时候主要是热蒸发 * 主要问题在于真空 * 蒸发沉积Al薄膜的纤维生长方向与入射离子方向间的关系。 计算机模拟得出的Ni薄膜在不同温度下的纤维状生长过程。 Glancing angle deposition (GLAD) Schematic of the glancing angle deposition system used to create tetragonal square spiral structures. Nature, 384, 616 (1996), J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1115 (1998), J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1838(2000) J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 2509(2000) Oblique and edge views of a tetragonal square spiral structure Scott R. Kennedy, et al Nano Letters Between the 4th and 5th bands, very robust to disorder. 15%, 24% 典型结构 真空蒸发装置 真空蒸发加热装置 真空蒸发加热装置 真空蒸发加热装置 真空蒸发加热装置 蒸发坩锅种类 A small effusi