第二章集成逻辑门电路(1).pptVIP

　　三极管作为开关管，截止时的等效电路如图2.1.7所示，由于两个结都处于反偏，所以e、b、c三个电极之间开路。 　　三极管饱和时，两个结都处于正偏，结间有小的压降，其等效电路如图2.1.8(a)所示，若忽略结压降，则等效电路可简化为图2.1.8(b)，三个电极之间如同短路一样。 图2.1.7 三极管截止时等效电路 图2.1.8 三极管饱和时等效电路 2、三极管瞬态开关特性　　晶体三极管作为开关管运用，其截止和饱和两种工作状态的相互转换不可能在瞬间完成，如同二极管一样，在三极管的开关过程中内部存在电荷的积累和消散过程，因而需要时间。 　　在图2.1.5所示电路中输入脉冲波形vI，其集电极电流ic和输出的波形vO如图2.1.9所示。 由该图可以看出，与理想瞬态开关特性相比，实际电路的输出波形会发生畸变，边沿变差。 该图给出了几个开关时间参数。 图2.1.9 三极管的瞬态开关特性 　　(1) 开关时间　　当vI从-V跳变+V时，晶体管不能立即导通，要经历一段延迟时间td和一个上升时间tr，集电结电流ic才能接近于最大值Ics。 　　① 延迟时间td：从vI正跳变开始，至集电结电流ic上升到0.1Ics所需要的时间。 　　② 上升时间tr：ic从0.1Ics上升到0.9Ics所需要的时间。 　　③ 开通时间ton：ton=td+tr。 　　当vI从+V跳变-V时，晶体管也不能立即截止，要经历一段存储时间ts和一个下降时间tf，ic才逐渐下降到0。　 ④ 存储时间ts：从vI负跳变开始，至集电结电流ic下降到0.9Ics所需要的时间。 　　⑤ 下降时间tf：ic 从 0.9Ics下降到0.1Ics所需要的时间。 　　⑥ 关断时间toff：toff=ts+tf。 　　(2) 开关时间形成的原因　　① 首先分析晶体三极管由截止状态过渡到饱和状态的过程，即发射结由反偏至正偏过程和集电极电流形成过程。 　　vI由-V→+V时，由于结电容的存在，发射结不能立即由反偏跳变至正偏，要经历空间电荷区由宽变窄，电荷量由多变少(等效于结电容放电)的过程。 当发射结偏压由-V上升到 0.7 V左右，T导通，发射区开始向基区注入电子并扩散至集电结，形成集电极电流，这个过程所需要的时间即为延迟时间td。 延迟时间td的长短取决于晶体三极管的结构和电路工作条件。 三极管结电容越小， td越短；三极管截止时反偏越大， td越长；正向驱动电流越大， td越短。 在延迟时间td后，发射区不断向基区注入电子，并扩散至集电结，形成集电极电流，同时在基区累积。 电子浓度在基区不断增加，ic也逐渐加大。 上升时间tr就是ic从0.1Ics上升到0.9Ics基区内电子电荷累积所需要的时间。 　　　tr的大小也取决于晶体三极管的结构和电路工作条件。 基区宽度w越小，tr越小；基极驱动电流越大，tr越短。 　　② 再来分析晶体三极管由饱和状态过渡到截止状态的过程，即驱散基区多余存储电荷及驱散基区存储电荷的过程。 　　当vI=+V时，三极管T稳定工作于饱和状态，ib＞Ibs，集电结也正偏，集电区不能收集从发射区注入到基区的全部电子，在基区形成了多余电子积累QBS。vI由+V→-V，多余电子积累QBS和基区存储电荷QB均不能立即消散。 在QBS未消失之前，ic就维持Ics不变，T仍饱和。 在-V作用下，随着QBS的减少，饱和深度变浅，QBS全部消失后，基区电子分布回到ic=Ics对应的基区电子浓度，T脱离饱和。 ts就是多余存储电荷QBS消失所需的时间。 饱和度越深，QBS越多，ts越长；基极反向驱动电流越大， QBS消失越快，ts越短。 QBS 消失后，集电结由正偏转向反偏，基极反向驱动电流-ib使基区电子浓度越来越少，ic也逐渐减少。 T由导通变为截止。 ic从0.9Ics减少至0.1Ics所需的时间就是下降时间tf。 反向驱动电流越大，tf越短。 　　由上述分析可以看出，td、tr、ts和tf这四个时间参数都是以集电极电流的变化情况来测定的。 通常td 较小，ts随饱和深度而变化。 当饱和较深时，ts相对于td、tr和tf时间最长，成为影响三极管开关工作速度的主要原因。 ton和toff的时间长短与管子本身特性有关，也与管子的使用情况有关。 正向基极电流ib越大，ton越短，但这又会使管子饱和深度加深，toff加长；相反，反向基极电流加大，可使toff缩短。 2.1.3 MOS管的开关特性　　上节介绍的晶体管是双极型的，其内部的两种载流子(多子和少子)均参与导电，少子的飘移运动受温度、光照等影响较大，所以其温度特性较差。 M