四点探针测试技术.pptVIP

微观四点STM探针测试系统 优点 1.能获得较小探针间距； 1.探针间距任意可调； 3.可以选用不同测试模式： 4.集成其他实验设备，可进行薄膜器件的原位制备和表征： 缺点 结构极为复杂，造价昂贵 微观四点探针计算模型 微观四点探针计算模型分为两种，与宏观四点探针类似，通过无限大理论的薄层原理和厚块原理推导出的二维无限模型和三维半无限模型。直线式等距排列的四点探针电阻薄层和厚块计算公式分别为 如果接触点半径相对于探针间距较小 ，则用下式 微观四点探针理论研究 Petersen等人用微观四点探针对多种形状小样品电阻率进行了数学模拟，对电荷的局部输运特性进行了研究。有了诸多发现。 1.双电测四点测量内侧两探针灵敏度大于外侧两探针， 2.对称线上由于对称电流泄漏灵敏度较低 图21 圆形和方形小样品局部灵敏度 * * 王永 东北大学真空与流体工程研究中心 导师：李建昌 四点探针测试技术 Four Point Probe Technology 四点探针（四探针）是半导体行业，薄膜和表面科学领域最为常用的电学表征工具。用四根探针代替两个探针对样品的电阻率或电导率进行测量，能够消除探针接触电阻对测量结果的影响，具有很高的精度。 报告 内容 测试理论 研究进展 探针制备 1 2 3 四探针测试仪 最常见四探针测试仪为RTS和RDY系列。 图1.RTS-8型四探针测试仪（左）、SDY-5型死探针测试仪（右） 被测样品 测试探针 四探针测试仪 图2. RTS-8型四探针电气原理图 1865年 汤姆森 首次提出四探针测试原理； 1920年 Schlunberger 第一次实际应用，测量地球电阻 率； 1954年 Valdes 第一次用于半导体电阻率测试； 1980年代 具有Mapping技术的四点探针出现； 1999年 Pertersen 开发出首台微观四点探针 发展历史 四探针传统应用 图3.四探针技术的传统应用 四探针测试原理 四根等距探针竖直的排成一排，同时施加适当的压力使其与被测样品表面形成欧姆连接，用恒流源给两个外探针通以小电流I，精准电压表测量内侧两探针间电压V，根据相应理论公式计算出样品的薄膜电阻率 1.工作原理简单 2.测试精度高 3.操作方便 图 5.四探针测试原理图 四探针测试方法分类 图4.四探针测试方法分类 四探针测试方法 最为常用的测试方法为直线（常规）四探针法和双电测四探针法。 1.双电测四探针法： 图6 双电测四探针法探针组合形式 B: Rymaszewski法 A：pertoff法 四探针测试方法 2.双电测四探针法特点： 1.克服探针间距不等及针尖纵向位移带来的影响 2.对小尺寸样品不用做几何测量和边缘修正 3.不能消除横向位移对测试结果的影响，探针间距 不能过小 四探针计算模型 1.厚块原理（3D模型） 假设被测样品为半无限大，探针与样品表面为点接触，形成以此点为球心的等位面。根据拉普拉斯方程（1）： 可得到距点电流源r处的电势为： 图 7. 点电流源的半球形等位面 四探针法计算模型 电阻率公式为： 探针等距： C为探针系数，只要针距一定，它就是常数 四探针法计算模型 2.薄层原理（2D模型） 当样本在能够忽略其本身厚度情况下，一般认为当样本厚度W小于探针距S时就看做薄层。当样品为薄层时，各点电势为： 公式中 为薄层电阻，也成为单位方块电阻【6】 RW:薄层电阻, W:薄层厚度 A:r无穷大时的电势 四探针测试的修正 实际测试中，要对四探针测试方法进行修正，包括厚度修正，边缘修正和温度修正。 1.厚度修正 和 f0(a)和f4(a)分别是对应两种原理时的厚度修正函数，a=w/s ， 图8.修正f0(a)和f4(a)曲线图 四探针测试的修正 2.边缘修正 计算比较复杂，难以在实际运用，常用 镜像源法，图形变换法和有限元法 四探针测试的修正 3.温度修正 半导体材料的电阻对温度非常敏感，温度也是影响其测试精度的又一个重要因素，一般情况下半导体电阻率的参考温度23+0.5. 微观四点探针的发展 1.发展原因 1.电子元器件的不断微型化和纳米器件的出现 2.新型生物材料的出现 3.表面科学研究的不断深入 4.显微镜技术和MENS技术的发展 · 2.主要研究单位 丹麦科技大学 瑞士洛桑理工学院 日本东北大学 日本大阪大学 中国科学院物理研究所纳米物理与纳米器件研究室 韩国国立全南大学 日本NTT公司 丹麦Capres A/S公司 zvyex公司 微观四点探针的新型应用 1.表面敏感电导率以及表面电荷迁移 2