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用霍尔元件测磁场 大学物理实验 用霍尔元件测磁场 简介: 1879年霍尔在研究载流导体在磁场中受力的性质时发现了霍尔效应,它是电磁场的基本现象之一。利用这种现象可以制成各种霍尔器件,特别是测量器件,现在已广泛地应用在工业自动化和电子技术中;由于霍尔元件的面积可以做得很小,所以可以用它测量某点的磁场和缝隙间的磁场,还可以利用这一效应测量半导体中的载流子浓度及判别载流子的性质等。本实验介绍一种用霍尔效应实验仪测量磁场的方法。 用霍尔元件测磁场 【实验目的】 1.了解霍尔效应的基本原理。 2.学习用霍尔效应测量磁场。 3.学习使用数字万用电表测量霍尔电压。 【实验仪器】 ZKY-HS霍尔效应实验仪,甲电池,直流稳压电源,数字万用表,电阻箱,滑线变阻器等。 【实验原理】 将通有电流的导体置于磁场B 之中,磁场B(沿z 轴)垂直于电流IH (沿x 轴)的方向,则在导体中垂直于B 和IH 的方向上出现一个横向电位差UH,这个现象称为霍尔效应。 用霍耳元件测磁场 【消除霍尔元件副效应的影响】 在实际测量过程中,还会伴随一些热磁副效应,它使所测得的电压不只是UH,还会附加另外一些电压,给测量带来误差。这些热磁效应有埃廷斯豪森效应,是由于在霍尔片两端有温度差,从而产生温差电动势UE,它与霍尔电流IH、磁场B 方向有关;能斯特效应是由于当热流通过霍尔片(如1,2端)在其两侧(3,4端)会有电动势UN 产生,只与磁场B 和热流有关;里吉-勒迪克效应是当热流通过霍尔片时两侧会有温度差产生,从而又产生温差电动势UR,它同样与磁场B 及热流有关(见本实验附录)。除了这些热磁副效应外还有不等位电势差U0,它是由于两侧(3,4端)的电极不在同一等势面上引起的,当霍尔电流通过1,2端时,即使不加磁场,3和4端也会有电势差U0 产生,其方向随电流IH 方向而改变。因此,为了消除副效应的影响,在操作时我们要分别改变IH 的方向和B 的方向,记下四组电势差数据(K1,K2 换向开关“上”为正): 当IH 正向,B 正向时,U1=UH+U0+UE+UN+UR; 当IH 负向,B 正向时,U2=-UH-U0-UE+UN+UR; 当IH 负向,B 负向时,U3=UH-U0+UE-UN-UR; 当IH 正向,B 负向时,U4=-UH+U0-UE-UN-UR; 作运算U1-U2+U3-U4,并取平均值,有:1/4(U1 -U2 +U3 -U4)=UH +UE 由于UE方向始终与UH相同,所以换向法不能消除它,但一般UE?UH,故可以忽略不计,于是UH =(U1 -U2 +U3 -U4 )/4 ,温度差的建立需要较长时间(约几秒钟),因此如果采用交流电,使它来不及建立,就可以减小测量误差。 用霍尔元件测磁场 【实验内容】 1.测量霍尔电流IH 与霍尔电压UH 的关系 将霍尔片置于电磁铁中心处,励磁电流IM ≤0.5A, 调节直流稳压电源E2 及制流电阻R2, 使霍尔电流IH0.5mA, 1mA, 1.5mA, 2mA, 2.5mA, 3mA, 3.5mA, 4mA, 4.5mA,5mA,测出相应的霍尔电压,注意:每次消除副效应,作UH-IH 图,验证IH 与UH 的 线性关系。 2.测量励磁电流IM 与霍尔电压UH 的关系 霍尔电流保持IH≤5mA,励磁电流IM 从0.1~0.5A,每隔0.05A 用数字万用表分别测出样品的霍尔电压UH(注意消除副效应,同学自己判断)。计算出相应的磁感应强度B,作B-IM 图。 3.测量电磁铁磁场沿水平方向分布 调节支架旋钮,使霍尔片从电磁铁中心处移到支架的左端。励磁电流固定在IM = 0.5A,霍尔电流IH=5mA,调节支架使霍尔片由电磁铁左边向右慢慢进入电磁铁间隙间, 由左到右测量磁场随水平X 方向分布的B-X 曲线。X 位置由支架上水平标尺上读得(磁 场随X 方向分布不必考虑消除副效应)。 用霍尔元件测磁场 【实验结果表示】 1.计算相应的磁感应强度B。 2.推导不确定度ΔB 。 3.B=B±ΔB 。 4.作B-IM 图及UH-IH 图。 【注意事项】 1.霍尔片又薄又脆,切勿用手摸。 2.霍尔片允许通过电流很小,切勿与励磁电流接错! 3.电磁铁通电时间不要过长,以防电磁铁线圈过热影响测量结果。 用霍尔元件测磁场 【思考题】 1.分析本实验主要误差来源,计算磁场B 的合成不确定度。 2.分析霍尔效应的产生条件,并理解对应条件下各线路的连接。 3.理解各副效应的产生机理,分析消除方法。 4.设计实验数据表格。 用霍尔元件测磁场 【附录】 热磁副效应简介 在此介绍由于温度梯度存在,伴随霍尔效应产生的一些热磁副效应。 (1)埃廷斯豪森(Etti
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