第五章-直拉单晶硅中的杂质和位错.pptVIP

直拉单晶硅中的碳 从那里来 存在形式 基本性质（与氧作用） 从那里来 因：原料，直拉单晶炉中存在石墨加热器 缘：C + SiO2= SiO + CO CO + Si = SiO + C 存在形式 替代位置 C-O复合体（几个氧有争议） 间隙位置 基本性质 吸引氧原子在碳原子附近形成偏聚，形成氧沉淀的核心,为氧沉淀提供异质核心,从而促进氧沉淀的形核 碳吸附在氧沉淀和基体的界面上，还可以降低氧沉淀的界面能，稳定氧沉淀核心的作用。 直拉单晶硅中的金属杂质 金属杂质从那里来？有那些金属杂质？ 过渡金属杂质的固溶度 过渡族金属在硅中的扩散 过渡族金属在硅中的沉淀规律 过渡族金属对硅电学性能和氧沉淀的影响 如何消除金属杂质的影响 金属杂质从那里来？有那些金属杂质？ 原料（微电子工业的头尾料） 硅片滚圆，切片，倒角，磨片 硅片清洗，湿化学抛光中不纯的化学试剂 加工设备（不锈钢）（以上皆为因） 高温中扩散至体内，冷却时（缘）形成复合体或者则沉淀(果） 杂质大多数为过渡金属，主要有Fe, Cu, Ni Fe,Cu,Ni为间隙存在，Zn,Pt,Cu替位存在 直拉单晶硅中影响电池转换 效率的过渡族金属临界 浓度 过渡金属杂质的固溶度 1金属的固溶度随温度而迅速下降 2.同一温度不同金属的固溶度不一样 3. Cu,Ni 最大 （1018 cm-3),较P,B为小 4.掺杂剂会影响过渡族金属在金属中的溶解度 过渡族金属在硅中的扩散 金属杂质扩散是很快的，最快为10-4 cm2/s Cu,Ni相似并较大，Fe,Mn相似并较小 原子序数增大扩散速率增大，Zn不变化 间隙态存在金属扩散速率的不同是由于迁移焓 的不同，扩散速率快（Cu,Co,Ni)的是六面体间隙态 迁移焓较低，扩散速率慢的金属(Fe,Mn,Ti,Cr) 是四面体间隙态迁移焓较大。 5. 扩散机制：间隙扩散和替位扩散（踢出机制， 空位机制，分离机制） 过渡族金属在硅中的扩散 Cu原子扩散是其带正电离子Cu+的扩散，故其不仅仅受温度影响，而且受导电类型和掺杂浓度的影响。 Ni金属扩散主要是以间隙态存在，有0.1%的替位Ni（有电学活性），受点缺陷的控制，扩散以分离机制为主。 Fe主要以间隙态存在，禁带中引入导带以下0.29 eV的能级，替位铁不存在。温度小于200度时p型硅中绝大部分铁带正电荷，高温时候无论p,n型硅中大部分铁是中性，带电铁容易和p型硅中的B形成Fe-B对影响Fe的扩散。 过渡族金属在硅中的沉淀规律 Cu,Ni一般形成沉淀，Fe又可以沉淀又可以形成Fe-B对 成核机制有均匀成核和非均匀成核,都存在，并优先在缺陷处沉淀 形成稳定的沉淀相，一般有MSi2(Ti,Co,Ni,Fe), M3Si(Cu) 沉淀相与晶体硅晶格常数不一致（失配）容易产生应力，FeSi2,CoSi2,NiSi2的晶格常数小于硅晶体晶格常数，产生张应力，需吸收自间隙硅原子。而PdSi2,Cu3Si的晶格常数远大于自间隙硅原子需发射自间隙硅原子。 Cu的沉淀规律 铜的沉淀形式包括体内沉淀，Cu-B复合体（不稳定，瞬态），扩散到外表面。 驱动力来源于自间隙铜的过饱和度，阻力来源于相变时的应力以及铜沉淀以及自间隙铜沉淀的静电排斥作用 影响因素有冷却速度，热处理温度，缺陷，不同类型的硅以及掺杂浓度 冷却速度快，均匀成核，驱动力大，忽略缺陷影响，形成片状铜沉淀 冷却速度慢，形成铜沉淀团(球状) 不同类型的硅以及掺杂浓度（以N型为例） Ni的沉淀规律 与铜不同，在高质量的单晶硅中，一般沉淀在表面，而不是体内,如有缺陷也可以在缺陷中产生 沉淀相（NiSi2)的晶格常数仅比硅小0.46%，阻力小 具有自吸杂效应（在沉淀中的固溶度远远大于在硅中的固溶度） 在压为4000Pa的氢气作用下，镍沉淀会自动溶解 Fe的沉淀规律 与铜，镍相比，铁较难形成沉淀（固溶度，容易形成铁硼对，扩散系数，晶格常数），很难观察 容易沉淀于已形成的位错上，影响层错的长大 氧沉淀也能促进铁沉淀的生成，但不稳定，少量的碳能稳定氧沉淀对铁的吸杂 铁较易沉淀于Si/SiO2界面上，或直接延伸到SiO2薄膜上 普遍认为铁沉淀的相是FeSi2,是一种直接带隙半导体，能带间隙是0.87 eV. 过渡族金属对硅电学性能和氧沉淀的影响 过渡族金属对硅电学性能的影响 过渡族金属对氧沉淀生成规律的影响 过渡族金属对硅电学性能的影响 现象：金属沉淀对于少数载流子存在显著复合 机制一：金属沉淀在晶体硅的禁带中引入的深能级，这种深能级对于少子有着显著的复合作用（大部分铜，镍沉淀的实验现象可以用来解释） 机制二：在金属沉淀周围可以引入空间电荷区，从而吸引载流子（解释镍沉淀作为复合中心的部分实验现象） 机制三：界面复合机理：金属沉淀和硅基体之间存在界面态，这种界面态也可以作为