多晶硅的淀积方法.pptVIP

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2019-07-17 发布于浙江
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多晶硅的淀积方法.ppt

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低压化学气相淀积多晶硅;多晶硅薄膜电学性质;低压化学气相淀积; (4) LPCVD方法采用直立背靠背密装片的方法,有极高的装片密度,一次可装几十片,多者上百片,适宜大量生产,效率高,成本低。而常压CVD方法,片子需平放在石墨加热体上,一次只放几片,均匀性差,效率低,不宜大量生产。尤其随着硅片直径的越来越大,常压CVD方法就更不能适应要求了。;基本原理; 当硅烷被吸附之后，紧接着就是硅烷的热分解，中间产物是SiH2和H2。随后分解形成固态硅薄膜和气态氢。总的反应式如下： SiH4(吸附) = Si(固)+H2(气体) ; 谢谢