第一章 半导体常规电学参数测试.pptVIP

* （1）瞬态法：利用电脉冲或光脉冲的一种方式，从半导体内激发出非平衡载流子，调制了半导体内的电阻，通过测量体电阻或样品两端电压的变化规律直接观察半导体材料中的非平衡少数载流子的衰减过程，从而测量其寿命。（光电导衰退法等） （2）稳态法：利用稳态光照的方法，使半导体材料中非平衡载流子的分布达到稳定状态，然后测量半导体中某些与寿命有关的物理量（如扩散长度）来推算少子的寿命。（扩散长度法、表面光电压法、光磁法等） 三、光电导衰退法 1、直流光电导衰退法 （1）如图所示为直流光电导衰退法测量少子寿命的装置（如下图所示） A、样品内的电场强度： 必须满足以下几个条件: B、RL≤20R,保证电流I恒定。 C、直流电源和RL为可调。 D、光照必须在中心部分。 （2）基本原理：如上图所示 样品上无光照时，样品内无非平衡载流子，样品两端电压为： 若给样品光照，样品中产生了非平衡载流子，引起点导增加，电阻下降，引起样品两端的电压也发生变化。则有 则有