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- 2019-07-19 发布于湖北
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* ②、缺陷在探测面一侧 缺陷自身高度: ΔH=ΔDW * ⑵、内部缺陷 ①、垂直缺陷 a、单斜探头 探头置于任一探测面,前后缓慢移动探头扫查缺陷,当发现缺陷的上下端点反射波时,再微动探头使缺陷的上端点前和下端点后毗邻出现如图所示的上下端点衍射回波,记录回波位置,按下式计算缺陷高度。 ΔH=ΔDW下-ΔDW上 * * b、双斜探头“V”形串接法 在缺陷距探测面较深或者是端点衍射信号被端点部位的散射波所淹没无法识别时,可选双斜探头V型串接法进行测高。 * 操作步骤如下: ? 选择两只相同型号的球晶片聚焦斜探头(或常规探头),且K值相同。? ? 用单斜探头确认缺陷的上下端点距探测面的深度。端点衍射波的识别见1)。 ? 将探头(探头1)置于缺陷上端点位置,另一只探头(探头2)置于缺陷的另一侧与之相对称的位置,把仪器转换成一发一收工作状态,将反射波幅调至荧光屏的80%。 ? 移动探头2,使端点反射波幅度至荧光屏的80%时,固定探头2,移动探头1扫寻端点反射波。该信号波幅达到最高或其前方出现新的最高反射波时,固定探头1的位置,
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