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无机材料的吸光发光原理 1 2 研究背景 原子、分子的光吸收与光发射 无机固体材料的光吸收机制 无机固体材料的发光原理 总结与展望 参考文献 3 吸光、发光原理 材料的设计与制备 Peter Mitchell Nature Biotechnology 2001, 19, 1013; 4 原子 分子 Frank K. Tittel Photonics Spectra 2014, June. 5 大量电子 Pauli不相容原理 大量原子聚集 绝缘体带隙大，吸收光子的能量过高 金属块体材料反射率接近于1，吸收少 半导体材料的光吸收 6 波长增加 半导体材料的光吸收： 光通过半导体材料时与半导体中的原子（离子）、电子相互作用的过程，满足能量守恒和动量守恒基本规律。 本征吸收 禁带跃迁，是最主要 的吸收，强吸收。 激子吸收 自由载流子吸收 杂质和缺陷吸收 7 半导体中电子受光激发，由价带跃迁到导带的过程称为本征光吸收，其光子能量应满足： I 直接跃迁吸收： 价带顶和导带低在波矢（k）空间中处于同一点。 允许的直接跃迁 禁戒的直接跃迁 材料的对称性不同 8 Ⅱ间接跃迁吸收： 价带顶和导带低在波矢（k）空间处于不同点上，这样电子就不能直接由价带顶跃迁到导带底，而必须和晶格交换一定的振动能量，即放出或吸收一个声子。 吸收声子 发射声子 [ ( )]2   直接跃迁 间接跃迁 9 激子吸收：价带中的电子吸收小于禁带宽度的光子能量也能离开价带，但因能量不够还不能跃迁到导带成为自由电子。这时，电子实际还与空穴保持着库仑力的相互作用，形成一个电中性电子-空穴对，称为激子。能产生激子的光吸收称为激子吸收。这种吸收的光谱多密集与本征吸收波长阈值的红外一侧。 半导体中激子束缚能△Eexc一般较小，几个或十几个mV 10 自由载流子吸收：当hυ＜Eg 时，同一带中的载流子吸收光子后引起载流子在一个能带内的跃迁。（基本在远红外波段） 杂质和缺陷吸收：电子从施主能级到导带或从价带到受主能级的吸收跃迁。（红外区） 11 N的引入提高Ba5Ta4O15价带的相对高度，减小半导体禁带宽度，从而拓宽了吸光范围。 非金属掺杂 Mukherji A, et al. Journal of Physical Chemistry C, 2011, 115, 15674; Kudo A, et al. Chemical Society Review 2009, 38, 253; Tsuji I, et al. Journal of Photochemistry and Photobiology A, 2003, 156, 249 金属掺杂 对于ZnS半导体，不同金属或其它元素（金属或非金属）协同掺杂在禁带内形成新的施主能级，减小原半导体材料带隙，拓展其可见光响应。 12 量子尺寸效应：当体系尺寸下降到某一数值时，费米能级附近的电子能级由准连续能级变为离散能级，能级间隙变宽，光吸收带移向短波方向。如右图中的CdS量子点。 Alivisatos A P, et al. Science, 1996, 271, 933 13 利用量子点作为吸光材料，可以有效减少吸收光子的能量与带隙的差异，从而减少由于热弛豫造成的能量损失，提高太阳能利用率。 Xinzheng Lan et al. Nature Materials 2014, 13, 233; Prashant V. Kamat Journal of Physical Chemistry C 2008, 112, 18737 14 本征跃迁 激子复合 能带与杂质能级之间的跃迁 施主到受主的跃迁 在等电子中心的跃迁 电子的辐射跃迁 Ⅰ有杂质或缺陷参与的跃迁 Ⅱ带与带之间的跃迁 Ⅲ热电子在带内的跃迁 能带理论 15 直接跃迁：发生在能带边缘，且发射光子 hυ≥ Eg . 间接跃迁：需要声子参与，且效率比较低。 本征跃迁 激子复合 光谱线较窄 16 1.价带的电子吸收光子跃迁到导带，价带有空穴，导带有电子。 2. 热平衡后，陷进D俘获导带电子。 3. D上的电子由于热扰动，跃迁到导带。 4. 热平衡后，价带中的空穴被A俘获。 5. A上空穴跃迁到价带中。 6. 导带中的电子和发光中心A上的空穴复合而发光，D上的电子也可向价带跃迁与空穴复合而发光。 能带和杂质能级之间的跃迁 施主到受主的跃迁 施主和受主在晶格中占据晶格格点的位置，因而发射谱线不连续。 在等电子中心的跃迁 等电子中心能够俘获一个电子或带负电，构成束缚激子，复合发光，激子范围小，因而发光效率高。 17 在正向电压下，电子由N 区注入P 区，空穴由P 区注入N 区。进入对方区域的少数载流子与多数载流子复合而发光。