BE分布-固体表面物理化学国家重点室-厦门大学.pptVIP

故在0K场合下，自由电子气的Q势函数如下： （5.61） （5.62） （5.63） 进而可导出0K下自由电子气的主要热力学性质： 式中V为金属的表观体积，而me为电子质量。 亦可表示为： （5.64） （5.65） （5.66） （5.67） 在0K下，自由电子气的能级分布仅呈现一种微观态，故对应的熵为零。验证如下： 同理，在0K下自由电子气产生强大压力，即 5.4.3 半导体载流子的态密度分布 能带理论更能本质地解释金属与其他固体导电机理的差异。 对半导体，载流子分布的能带结构是半导体理论的主要依据。 T=0K T0K 价带 导带 h e ?g 对于本征半导体, 0K下，价带满占，导带无电子占据；0K以上，少量电子因热运动从价带顶激发到导带底，同时在价带顶产生相应数量空穴。 禁带宽度(带隙)： ?g = ?c- ?v 一定温度下，从价带激发的电子数(或激发几率)与带隙宽度相关，带隙越大，激发越难，导电性越低；?g过大，不发生电子热激发，即为绝缘体。 掺杂可导致某种载流子数量多：n-/p-型半导体。 半导体中，载流子(电子或空穴)均遵循F-D分布律。 对价带中空穴，可以1-f(?)来表示该态的空穴出现几率: 电子态密度 空穴态密度 （5.68） （5.69） （5.70） （5.71） ?F为费米能级 可想象载流子的能量变化近似连续，则导带中电子的态密度分布函数为 因一