第二章 GeSi异质结及超晶格的基本特性.pptVIP

第二章 GeSi异质结及超晶格的基本特性 本章内容 2.1 GeSi应变层的临界厚度及超晶格的稳定性 2.2 GeSi合金的折射率的计算 2.3 GeSi合金的等离子色散效应 2.1 GeSi应变层的临界厚度及超晶格的稳定性 一个由层A和层B组成的n个周期超晶格，A层和B层厚度分别为dA和dB，对于衬底而言，界面平面的应变势为 和 。对于未释放应变能的结构，超晶格的弹性应变能为： 对于超晶格的任一层来说，当单个外延层的厚度超过临界厚度时，应变能超过临界值，在此界面引入缺陷以释放能量。但如果每一层材料都在临界厚度之下，当结构中总的应变能足够大时，仍有可能引入缺陷。 在衬底与超晶格区域的界面处，如果引入规则排列的缺陷时，会改变超晶格的平均晶格常数，如果忽略衬底的应变能与失配位错的能量，则超晶格的弹性应变能为 2.2 GeSi合金的折射率的计算 2.3 GeSi合金的等离子色散效应 根据电导有效质量的表达式 对于Si中电子 ， ,对于Ge中电子 ， 可得到Si和Ge中的电子电导有效质量分别为：mc(Si)=0.2m。mc(Ge)=0.12m。则GexSi1-x中电子的电导有效质量可表示为 同理，对Si中的空穴 , 对Ge中的空穴 ， 代入下式 可得出Si和Ge的空穴电导有效质量分别为：mch(Si)=0.29m0，mch(Ge)=0.1 m0 。 * 光电材料与半导体器件 * 众所周知，Si和Ge的晶格常数分别为0.5431nm和0.563nm，它们之间的晶格失配为4.2%。而GeSi合金的晶格常数与Ge含量x有关，若x从0-1变化，其晶格常数则相应地在0.5431-0.5646之间变化。只要x≠0，GeSi合金与Si衬底就有晶格失配，就有应力产生。由于MBE、MOCVD等外延生长技术的发展。可使晶体失配系统共度生长。即在一定厚度范围内，外延层晶格常数受到失配应力的调节，其晶格产生弹性应变，使生长平面内外延层晶格常数与衬底晶格常数相等，在外延层中基本消除失配位错。因此，在Si衬底上生长GeSi应变层存在一个临界厚度。在外延层厚度超过临界厚度时，将会产生失配位错。 1. GeSi应变层的临界厚度 在临界厚度的计算中，通常有两种理论模型：力学平衡模型和能量平衡模型。在第一个模型中，假定位错由力平衡的破坏所致，当失配引起的作用使位错线上的力FH大于位错内部引力FD时，产生位错，如图2-1所示。当外延层厚度为ha时，界面连贯如图2-1中曲线a所示，当厚度为hb时，外延层处于位错的临界状态，界面如图2-1中曲线b所示，当外延层厚度为hc时，在界面形成位错，同时引入长为LL′的失配位错线，如图2-1中曲线c所示。这两种介质弹性常数相等，则FH为： （2-1） 位错的张力为： 其中v是泊松比，G是切向变量，b是滑移距离（ b≈a/2），h是应变层厚度，f是失配因子。由FH=FD可得临界厚度hc为 图2-1GeSi临界厚度力学平衡模型示意图 （2-2） （2-3） 在能量平衡模型中，假定失配位错由能量平衡破坏后产生，即当薄膜的应变能量面密度 超过形成一个螺旋位错所需能量密度 时产生位错，其中外延层薄膜的应变能量密度为： 距离匹配界面h的螺旋位错面密度为： 式中a(x)为GeSi合金的晶格常数，与Ge含量x有关。利用薄膜厚度达到临界厚度时，应变能与位错能相等这一条件，可得： （2-4） （2-5） （2-6） 对于GexSi1-x系统，取b=0.4nm，则式（2-6）可近似为： 上式中hc以nm为单位，且fm可表示为： 由（2-7）和（2-8）可得GeSi外延层失配临界厚度与Ge含量的关系，如图2-2所示。 在Si100方向上外延的单层GexSi1-x的临界厚度，可以采用卢瑟夫反射，双晶x-ray衍射，传输电子显微镜及共振等方法测量。据people等人的报道，能量平衡模型与实验吻合的较好。因此，我们采用这种模型的分析结果来计算GexSi1-x/Si应变层的临界厚度。 图2-2Ge含量x与临界厚度hc的关系 （2-7） (2-8) 2. 应变超晶格的基本性质 1970年日本科学家江崎（EsaKi）和华裔科学家朱肇祥首先共同提出人工半导体超晶格概念，也就是将克