太阳能电池原理及结构.docVIP

2太阳能电池原理及结构 2.1太阳能电池基本原理 如图2.1所示为典型太阳能电池的简单示意图。该电池受光面为高浓度掺杂的狭窄N区。耗尽层(宽度W)一直延伸到P区，并在耗尽层形成一内建电场E0。把连接N区的电极做成栅形或指形以提高光的吸收率和减小电池的表面电阻，在电池表面镀一层减反射膜以提高太阳光的利用率。 当光照射在电池上时，由于N区(宽度Ln)比较狭窄，能量大于禁带宽度Eg的大部分光子在耗尽层和P区(宽度Lp)被吸收，产生光生电子一空穴对 (EHPs)。在耗尽层的光生EHPs立即被内建电场所分离，电子漂移到达N区形成负极性区域，同时空穴漂移到达P区形成正极性区域，于是通过接线在PN结两端形成了开路电压Voc。。如果连接了负载，那么N区的大量电子经过外电路工作，然后到达P区与大量空穴复合。其中，内建电场对分离光生EHPs，在N区积累大量电子，在P区积累大量空穴起了关键作用[6]-[10]。 因为没有电场的缘故，在P区被吸收的长波长光子激发的EHPs只能扩散到一定的区域。则电子的平均扩散长度Le可由( 2.1)表示，其中De为电子在P区的扩散系数。 （2.1） 离耗尽层的距离在Le范围内的那些电子能扩散到内建电场，并在内建电场的作用下漂移到N区，因此在P区产生的光生EHPs中，只有那些离耗尽层距离在Le范围内的的少数 图2.1 太阳能电池工作原理 载流子(电子)才对光伏效应起作用。一旦电子被扩散到耗尽区域，它将被Eo扫到N区，增加该区的负电荷，空穴留在P区增加该区的正电荷。而那些离耗尽层的长度大于Le的光生EHPs都被复合损失掉了。正因为此，少数载流子的扩散长度Le要尽可能的长，又由于在半导体硅中电子的扩散长度要比空穴长，所以这里选择了以P区产生的电子为少数载流子的硅PN结。同样，在N区由短波长光子激发产生的EHPS中只有那些离耗尽层距离小于扩散长度Lh的少数载流子(空穴)能到达耗尽层并被内建电场分离到P区。因此，对光伏效应起作用的EHPs的产生发生在这样一个区域: Lh+W十Le。如图2.2所示，在N区大量的电子通过外电路流到P区与空穴中和，这种由光生载流子的流动产生的电流叫光电流Iph。要注意的是，在PN两端形成光生电动势后，相当于在PN结两端加上了正向电压V，具有普通PN结的二极管特性，正向电流为Id，因此通过电池的总电流： （2.2） 图2.2 光电流产生区域 由上面分析可以看出，为使半导体光电器件能产生光生电动势，他们应该满足以下三个条件： （1）半导体材料对一定波长的入射光有足够大的光吸收系数a，即要求入射光子的能量hv大于或等于半导体材料的禁带宽度Eg，使该入射光子能被半导体吸收而激发出光生非平衡的电子空穴对。 （2）图2.3为一些材料的吸收曲线。可以发现GaAs和非晶硅的吸收系数比单晶硅大得多，透入深度(l/a)只有1um左右，即几乎全部吸收入射光。所以这两种电池都可以做成薄膜，节省材料。而硅太阳能电池，对太阳光谱中长波长的光，要求较厚的硅片(约100-300um)才能充分吸收;对于短波长的光，只在入射表面附近1um区域内就己充分吸收了。 （3）具有光伏结构，即有一个内建电场所对应的势垒区。势垒区的重要作用是分离了两种不同电荷的光生非平衡载流子，在P区积累了非平衡空穴，而在N区积累了非平衡电子。产生了一个与平衡PN结内建电场相反的光生电场，于是在P区和N区间建立了光生电动势(或称光生电压)。 图2.3 不同半