太阳电池阶段工艺总结PECVD.pptVIP

3.4.2实验三测试结果 实验 流量下 流量上 薄膜下 薄膜上 NH3 SiH4 NH3 SiH4 厚度 折射率 厚度 折射率 6_1 1450 550 1520 480 41 2.185 41 2.065 6_2 1500 500 1520 480 41 2.111 41 2.065 6_3 1600 400 1520 480 41 2.04 41 2.065 原工艺 \ \ \ \ \ \ \ \ 注释： 原工艺没有SiNx膜的上下之分，也就是说薄膜均有相同的Si/N比例，选择的流量为：SiH4 440SCCM，NH3 1520SCCM，折射率为2.065。 实验 AVE/MED Pmpp Uoc Isc FF NCell 实验6-1 AVE 3.9225 0.6167 8.3071 76.5652 0.1612 MED 3.9216 0.6165 8.3170 76.5935 0.1611 实验6-2 AVE 3.9143 0.6159 8.2881 76.6759 0.1608 MED 3.9157 0.6162 8.2898 76.7233 0.1609 实验6-3 AVE 3.9076 0.6166 8.2808 76.5241 0.1606 MED 3.9068 0.6162 8.2840 76.6302