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第8章 MCS-51单片机扩展存 储器的设计 典型存储器的扩展器件 （1）6116静态RAM的扩展 A10～A0：地址线 D7～D0：数据线 /CE：片选信号 /OE：数据输出允许信号 /WE：写选通信号 VCC：电源（+5V） GND：地 微型机总线扩展驱动 当单片机外接芯片较多，超出总线负载能力，必须加总线驱动器。 EEPROM的应用特性 1. 27xx的引脚 8.4.1 常用EPROM芯片介绍 xx的含义？——表示其位存储容量。 CE——片选输入端 OE——输出允许控制端 VPP——编程电压输入端 PGM——编程脉冲输入端 2. EPROM芯片的工作方式 一般有5种工作方式，由CE、OE、PGM的组合状态决定 读出方式 一般情况下，EPROM工作于该方式。此时， CE、OE为低，VPP为＋5V。 (2) 未选中方式 CE为高。 (3) 编程方式 VPP为规定电压， CE、OE端加上合适的电压。 (4) 编程校验方式 (5) 编程禁止方式 8.4.3 典型EPROM接口电路 1. 单片EPROM 与RAM的不同点：只有一片ROM时，CE可以接地，OE接PSEN 2. 多片EPROM 除片选线CE外，其他与单片扩展电路相同。 A14～A8 CE OE A7 ～ A0 A14～A8 CE OE A7 ～ A0 74LS373 8 7 7 8 8 8 27256(1) 27256(2) P2.7 P2.6～P2.0 PSEN P0 ALE 8031 8.5 静态数据存储器的扩展 MCS-51单片机内部有128B RAM。应用时可能不够。 数据存储器一般采用RAM芯片，这种存储器在电源关断后，存储的数据将全部丢失。RAM器件有两大类： 动态RAM（DRAM），一般容量较大，易受干扰，使用略复杂。 静态RAM（SRAM），在工业现场常使用SRAM。 单片机应用系统中，外扩的数据存储器都采用静态数据存储器。空间地址由P0(低8位)和P2(高8位)提供，P0口还提供8位双向数据总线。读写由/RD(P3.7)、/WR(P3.6)控制 1. 引脚 8.5.1 常用静态RAM(SRAM)芯片 CE—片选输入端 WE—写允许信号输入线 6264 逻辑图 6264 引脚图 OE—读选通信号输入 型号：6264 前两位数62, 表示SRAM后两位64÷8=8k字节容量 62128 有128÷8=16k 字节容量 62256 有256÷8=32k 字节容量 8.5.3 典型的外扩数据存储器的接口电路 DB0～n AB0～N D0～n A0～N ABN+x CS R/ W R/ W 微型机 存储器 存储器与微型机三总线的连接： 1)数据线 D0～n 连接数据总线 DB0～n 2)地址线 A0～N 连接地址总线低位AB0～N。 3)片选线 CS 连接地址总线高位ABN+x。 4) 读写线OE、WE(R/W) 连接读写控制线RD、WR。 62128与MCS51的连接 8.6 EPROM和RAM的综合扩展 8.6.1 综合扩展的硬件接口电路 MCS51同时扩展ROM和RAM 总结回顾 单向驱动器74LS244用于地址总线驱动双向驱动器74LS245用于数据总线驱动。 8.7 EEPROM的扩展 优点： 能在应用系统中进行在线改写 断电时可保护数据而不需要加保护电源 1、EEPROM的应用特性 2、EEPROM2816A的扩展电路 ★ 对硬件无特殊要求 ★ 采用＋5VEEPROM不需要再设置单独的擦除操作 ★ EEPROM期间一般采用并行总线传输 ★ EEPROM作为程序存储器时，应按程序存储器连接方式编址 ★ EEPROM作为数据存储器时，连接方式很灵活 作数据存储器使用 作I/O口编址使用 再通过扩展I／O口和系统总线相连 作串行EEPROM使用 2864---8K E2PROM 2864引脚功能 A0~A12 地址线 CE 选片 OE 读 D0~D7 数据线 N.C A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND Vcc WE N.C A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 2864 写 WE 8.7.1 E2PROM的扩展芯片 EEPROM