半导体物理学第4章.pptVIP

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 练习 Si的导带底附近E(k)~k关系是长轴沿100方向的6个旋转椭球等能 面，而Ge的导带底则由4个长轴沿111方向的旋转椭球等能面构 成。若令 ，那么对于Si、Ge晶体 称μc为电导迁移率，mc称为电导有效质量。半导体中电导率与平均自由 时间的关系为 n型半导体 p型半导体 电阻率与掺杂的关系 N型半导体 P型半导体 电阻率与温度的关系 本征半导体 本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降 杂质半导体 速度饱和 在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移速度v与外加电场强度E呈线性关系；随着外加电场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均漂移速度达到一饱和值，不随E变化。 n-Ge: 1、载流子的热运动在半导体内会构成电流。（ ） 2、载流子在外电场的作用下是（ ）和（ ）两种运动的叠加，因此电流密度大小（ ）。 3、什么是散射 （区别于金属） * *