微电子器件与IC设计第3章双极型晶体管（BJT）.pptx

第3章 双极型晶体管（BJT）;第3章 双极型晶体管（BJT）;第3章 双极型晶体管（BJT）;3.1.2 晶体管的杂质分布;2.合金扩散管;3.平面管——缓变基区晶体管;3.1.3 晶体管的实际结构;3.1.4 集成电路中的晶体管;3.2 双极晶体管的放大原理;3.2 双极晶体管的放大原理;三.晶体管的连接方式及电流放大系数定义;共基极接法;共发射极接法;四.晶体管内载流子的分布及传输;四.晶体管内载流子的传输;五. 发射效率和基区输运系数;五. 发射效率和基区输运系数 基区输运系数;集电区倍增因子;六. 共基极直流电流发大系数;共基连接的电压和功率放大作用;共射极直流电流放大系数;小结：晶体管放大三要素;;均匀基区晶体管直栆电栆增益推导思栤;3.3.1 均匀基区晶体管直流电流增益;;一. 基区少子（电子）浓度分布;一. 基区少子（电子）浓度分布;qVBC / kT;二. 电流密度分布(只考虑扩散电流）;;;;三. 均匀基区晶体管的直流电流增益 》 发射效率（注入比）;;例题：一个理想的n+-p-n晶体管，其发射区、基区和集电区的 掺杂浓度分别为1019cm-3、1017cm-3和5×1015cm-3，而少子寿命 分 别 为 10-8s 、 10-7s 和 10-6s ， 假 设 有 效 横 截 面 面 积 A 为 0.05mm2，且射基结正向偏压在0.6V，试求晶体管的共基电流 增 益 。 其 它 晶 体 管 的 参 数 为 Dpe=1cm2/s 、 Dnb=10cm2/s 、 Dpc=2cm2/s、Wb＝0.5μm。;因为Wb/Lnb=0.051，各电流成分为:;3.3.2 缓变基区晶体管;一. 缓变基区晶体管的特点;基区自建电场;;6. 基区平衡少子浓度是一变化的量;一. 缓变基区晶体管的特点;近似法求基区少子分布nb(x);少子分布规律;? 近似法的实质是假设Jnb是一个常数， 因而可提到积分号以外，才有Jnb = Jne，即忽略了基区内部的复合。 ? 由于自建场的影响，nb(x)不是线性分 布，而是由上述指数函数决定，与电 场因子?有关。;0;;;10. 集电区杂质均匀分布，与均匀基区晶;缓变基区晶体管发射效率;dx层方块电阻;;缓变基区晶体管输运系数;缓变基区晶体管直流电流放大系数;3.3.3 影响电流放大系数的因素及提高措施 一. 提高电流增益的主要途径;二. 影响电流放大系数的其它因素;2. 发射区重掺杂使 ? ?;2. 发射区重掺杂使 ? ?;重掺杂效应与xje和电流大小的关系;3. 基区表面复合使β*↓;基区宽变效应的影响;;3.4 BJT直流伏安特性;3.4 双极晶体管直流伏安特性;;二. 共射极直流特性;两种输出特性曲线的比较;晶体管的三个工作区;3.4.3;;;E-M 方程;互易定理的本质是：eb 结与cb 结有共同部分（基区），无 论哪个结短路，另一个结的反向饱和电流都含有共同的基 区少子扩散电流。;IC ? 0;一般αR、αF均小于1，∴IEB0,ICB0都小于IES,ICS;IB可由IE和IC求出：;;二、反向电栆的来源 实际的晶体管反向电栆应包括反向扩散电 栆，势枎产生电栆和表面栖电栆。 IR ? Ird ? Irg ? Is ? 对Ge管：主要是反向扩散电栆 ? 对Si管：主要是势枎产生电栆，表面电栆视工艺而 定;三.;一. 定义：晶体管某一极开栤，柼二极之间所能承受的最大 反向电压即为晶体管反向击穿电压 BVEBO ：集电极开栤 发射极－基极间 反向击穿电压 ? 20 V BVCBO ：发射极开栤 集电极－基极间 反向击穿电压 (较高) BVCEO ：基极开栤 发射极－集电极间 能承受的最高反向电压;二. 影响击穿电压的因素及其关系;BVCEO与BVCBO之间的关系;三. 势垒穿通（基区穿通）;;;外延层穿通电压;负阻特性及击穿电压间的关系;口势垒局部穿通;消除结电场集中措施（对BVCBO影响）;;e. 采用刻槽工艺;三. 不正常的输出特性;;四. 二次击???;五. 两段饱和特性;;;梳状结构晶体管的基极电阻（npn为例）;;采用与rb1 相似的方法：;rcon ? ?;减小基极电阻的措施;微器件版面图;;;俄歇复合过程是由电子-空穴对复合 所释放出的能量及动量转移至第三个粒;若要将集电极电流降为 零，必须加一电压在c-b结 上，使其正偏(饱和模式)， 对Si而言，约需加1V左右， 如图(b)所示，正向偏压造 成x=W处的少子浓度大增， 与x=0处相等[图(b)中的水 平线]，此时在x=W处的少子 梯度为零，亦即IC降为零。