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功率半导体培训讲义 功率半导体器件  1.1 功率半导体器件种类与特点 1.2 功率晶体管 1.3 功率场效应管 1.4 绝缘栅极双极型晶体管 1.5 使用注意事项以及性能比较 1.1 功率半导体器件种类与特点 从功率等级来分类 有微功率器件、小功率器件、大功率器件等等 制造材料分类 有锗管、硅管等等 从导电机理分类 有双极型器件、单极型器件、混合型器件等等 从控制方式来分类 可分为不可控器件、半可控器件和全可控器件三类器件 1.1.3 功率半导体器件发展水平 在整流管类中，快速恢复二极管将有较大的发展 在高压直流输电中，晶闸管（光控晶闸管）将有很好的发展机遇。 在功率晶体管类中，以IGBT发展最为迅速 1.4.3 米勒效应的影响 1.4.4 IGBT的擎住效应 擎住效应 IGBT 为四层结构，体内存在一个奇生晶体管，其等效电路如图下图所示。在V2的基极与发射极之间并有一个扩展电阻 Rbr，在此电阻上P型体区的横向空穴会产生一定压降，对 J3 结来说，相当于一个正偏置电压。在规定的漏极电流范围内，这个正偏置电压不大，V2不起作用，当Id大到一定程度时，该正偏置电压足以使V2开通，进而使V2和V3处于饱和状态，于是寄生晶体管开通，栅极失去控制作用，这就是所谓的擎住效应 .IGBT发生擎住效应后，漏极电流增大，造成过高功耗，导致损坏。可见，漏极电流有一个临界值 Idm。当Id＞Idm时便会产生擎住效应。 1.4.4 IGBT的擎住效应 在IGBT关断的动态过程中，假若dUds／dt过高，那么在J2结中引起的位移 电流Cj2（dUds/dt）会越大，当该电流流过体区扩展电阻Rbr时，也可产生足 以使晶体管V2开通的正向偏置电压，满足寄生晶体管开通擎住的条件，形 成动态擎住效应。使用中必须防止IGBT发生擎住效应，为此可限制Idm值， 或者用加大栅极电阻Rg的办法延长IGBT关断时间，以减少dUds/dt值。 值得指出的是，动态擎住所允许的漏极电流比静态擎住所允许的要小，生 产厂家所规定的Id值是按动态擎住所允许的最大漏极电流来确定的。 1.4.5 IGBT的驱动 IGBT 的驱动条件与 IGBT 的特性密切相关。随着正偏置电压Uge增加， 通态电压下降，开通能耗Eon也下降，如图下图所示。由图中还可看出， 若+Uge固定不变时，导通电压将随漏极电流增大而增高，开通损耗将随结 温升高而升高。 负偏电压-Uge直接影响IGBT的可靠运行，负偏电压增高时漏 极浪涌电流明显下降，对关断能耗无显著影响，－Uge与集电 极浪涌电流和关断能耗 Eoff?的关系如图下图所示。 门极电阻Rg增加，将使IGBT的开通与关断时间增加；因而 使开通与关断能耗均增加。而门极电阻减小，则又使di/dt增 大，可能引发IGBT误导通，同时 Rg 上的损耗也有所增加。具 体关系如下图所示。 1.4.6 IGBT开通损耗 1.5 使用注意事项以及性能比较 l）IGBT与MOSFET都是电压驱动，都具有一个2.5～5V的阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感，故驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与 IGBT 的连线要尽量短。 2）用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压 Uge, 有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外,IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏。 ?3）驱动电路要能传递几十kHz的脉冲信号。 ?4）驱动电平+Uge也必须综合考虑。+Uge增大时，IGBT通态压降和开通损耗均下降，但负载短路时的Ic增大，IGBT能承受短路电流的时间减小，对其安全不利，因此在有短路过程的设备中Uge应选得小些，一般选 12～15V 。 5）在关断过程中，为尽快抽取PNP管的存储电荷，须施加一负偏压Uge,但它受IGBT的G 、E间最大反向耐压限制，一般取-1v—-10V。 6）在大电感负载下，IGBT 的开关时间不能太短，以限制出di/dt形成的尖峰电压，确保IGBT的安全。 7）由于IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，故驱动电路与控制电路在电位上应严格隔离。 8) IGBT的栅极驱动电路应尽可能简单实用，最好自身带有对IGBT 的保护功能，有较强的抗干扰能力。 IGBT和MOSFET模块的应用范围 BJT、功率MOSFET、IGBT的性能比较 器件名称 BJT MOSFET IGBT 驱动方式 电流 电压 电压 驱动功率 大 小 小 存储