模电知识点复习知识总结.ppt

总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为主线。 集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电压放大级、功率放大级、偏置电路。 集成运放的两个不同工作状态：线性和非线性应用。 模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、外部特性及应用、性能改善、工作电源产生、信号源产生等展开。;湖南科技大学信息与电气工程学院;一、放大电路的表示方法 ;1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力;（1）电压放大倍数定义为: AU=UO/UI;2. 输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻，决定了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。;3. 输出电阻Ro——从放大电路输出端看进 去的等效电阻。决定了放大电路带负载的能力。; 输出电阻是表明放大电路带负载的能力，Ro越小，放大电路带负载的能力越强，反之则差。 ;4. 通频带;湖南科技大学信息与电气工程学院;o;3）开环输出电阻 ro→0; 理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈）下工作。 ; (2)虚断;几种常见的基本运算电路;3 二极管及其基本电路; 3.1.4 杂质半导体;3.2.1 载流子的漂移与扩散; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;PN结V-I 特性表达式; 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。;一、PN 结的伏安方程;二、二极管的伏安特性; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;（2）恒压降模型;（4）小信号模型; 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻; 特别注意： 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 ;(2) 主要特点： (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性 较大的 ?I ? 较小的 ?U 工作在反向击穿状态。 在一定范围内，反向击穿 具有可逆性。;湖南科技大学信息与电气工程学院; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏;2. 电流分配关系; ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。;3. 三极管的三种组态;三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;(1) 集电极最大允许电流ICM; ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。;? 在输出特性曲线上，作出直流负载线 VCE=VCC－iCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ 和ICQ。;? 根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE 、 iB 的波形;? 根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE 的波形;3. 静态工作点对波形失真的影响;饱和失真的波形;4.3.2 小信号模型分析法;BJT的H参数及小信号模型;重点掌握固定偏流射极电路和分压式射极电路 ;小信号模型等效电路法的步骤：;三种组态的特点及用途; 阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电容及三极管的结电容等，它们的容抗随频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。;通频带;4.7 多级(组合)放大电路;二、直接耦合方式的优缺点;缺点：①低频特性差（不能放大变化缓慢的低频信号）； ;3、变压器耦合;4.7.2 多级（组合）放大电路的动态分析; 二、输入电阻;第六章 模拟集成电路;6.1.1 BJT电流源电路;6.1.1 BJT电流源电路;6.2.1 差分