当单层浓度的铟布置吸附在矽111表面上时其表面结构为41相.docVIP

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2019-08-02 发布于天津
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当单层浓度的铟布置吸附在矽111表面上时其表面结构为41相.doc

物理月刊廿七卷四期年月置於矽表面於相的原子子能文蔡秀芬原子置於半表面可因置度置的度生各不同的表面原子其子特性亦表面原子分而生大的不同其可能由金性改半金性甚至於我可以利用第一原理行理模算分析吸附於半表面的原子分一步分析其子特性可以一步分析推系度化所生相生的制本文以置於矽表面度化而生相的例子介第一原理在域的用度的置吸附在矽表面上其表面原子形成的金相是早在年就知道的果但是其的表面原子分析是最近年才由表面射散射得知其形成沿方向上矽吸附平行的一排列的表面然而於其表面子的分析意分歧由描穿透式子微描穿透光明相

物理雙月刊（廿七卷四期）2005年8月 PAGE 564 銦佈置於矽(111)表面於 (4×1)與(8×2)相的原子與電子能態結構文/蔡秀芬原子佈置於半導體表面可因佈置濃度與佈置的溫度產生各種不同的表面原子結構。其電子結構特性亦隨表面原子結構分佈而產生極大的不同，其可能由金屬性改變為半金屬性，甚至於變為絕緣體。我們可以利用第一原理進行理論模擬計算分析吸附於半導體表面的原子結構分佈，並進一步分析其電子結構特性。並可以進一步分析推論系統隨溫度變化所產生相轉變發生的機制。本文以銦佈置於矽(111)表面隨溫度變化而產生(4×1)與(8×2)相的例子，介紹第一原理在該領域的運用。當單層濃度的銦佈

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