CuSCN和Cu2O纳米结构薄膜的制备与性能分析.pdfVIP

摘要 CuSCN是一种本征P型宽禁带半导体，禁带宽度为3．6eV，在可见光区是透 eV，在可见光区有 明的；Cu20也是一种本征为P型的半导体，禁带宽度为2．17 较高的光吸收。CuSCN和Cu20都是Cu基半导体材料，具有无毒、成本低廉、 存储量丰富等优点，并且CuSCN和Cu20纳米薄膜在太阳能电池、异质结、光 催化、气体传感器等方面具有广阔的应用前景。然而，采用简单的方法制备稳定 可靠的大面积均匀P型CuSCN纳米薄膜和Cu20纳米线薄膜仍然是目前研究的 难点。 本文采用固液界面原位生长法制备了CuSCN纳米薄膜和Cu20纳米线网络结 构薄膜，研究了其光学性能、磁性能、光致发光性能。本文主要工作列举如下： 1、采用真空热蒸镀的方法制备均匀的Cu薄膜，然后将其浸泡在硫氰酸盐溶 液中，制备出大面积均匀的CuSCN薄膜。我们研究了不同的硫氰酸盐、反应时 间、反应温度等对CuSCN形貌的影响，最后还研究了CuSCN薄膜的光学性能。 2、在制备C