半导体器件的核心是PN结.pptVIP

沈阳航空航天大学 PN结及单向导电性 § 14.2 PN结及其单向导电性 不论是 P型半导体还是 N型半导体，导电能力还远不及金属导体。都只能看做是一般的导电材料，不具有半导体器件的任何特点。 半导体器件的核心是 PN结。是在一块半导体晶片的两侧分别制成 P型半导体和N型半导体，在两种掺杂半导体的交界面形成一个特殊的薄层，称为 PN结。 各种二极管、三极管等半导体器件，都是以PN结为核心而制成的。 正确认识PN结，是了解和使用各种半导体器件的关键所在。 一、PN结的形成 P N 空间电荷区 P区 N区 多数载流子将扩散形成耗尽层； 耗尽了载流子的交界处留下不可移动的离子形成空间电荷区；（内电场[方向：N→P]） 一块晶体薄片的两面分别制成P型半导体和N型半导体。 内电场阻碍了多子的继续扩散。 耗尽层中载流子的扩散运动和漂移运动最后达到一种动态平衡，这样的耗尽层结构就是PN结。 二、 PN结的单向导电性 PN结未加电压时，载流子的扩散和漂移运动处于动态平衡，空间电荷区的宽度基本稳定。 当对PN结加有外部电压时，其特性为 1. 加 正向电压 将外电源的正端接P区、负端接N区。 外电场与内电场方向相反，空间电荷区变窄。漂移运动变弱，扩散运动增强。 P N 内电场方向 外电场方向 + I 变窄 由多数载流子扩散形成较大的正向电流。 2. 加 反向电压 将外电源的正端接N区、负端接P