巨磁阻抗效应基本原理和应用.pdfVIP

教师评述论文 《基地物理》 2014 年第3 期 巨磁阻抗效应基本原理和应用 1,2 1,2 王建波 ，张毅 （1. 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室，2.兰州大学物理科学与技术学院应用磁学 研究所， 甘肃 兰州 730000 ；） 要： 本文主要向本科生同学介绍巨磁阻抗效应的原理和基本概念，概述此方向的研究进展和 利用巨磁阻抗材料制作的巨磁阻抗传感器的优点及其应用。 关 键 词： 巨磁阻抗效应；磁场传感器；软磁材料 1 引 言 当一个材料中流过交流电的时候，它可能会展现出一定的阻抗Z=R+jX 。如果这个材料 是一个高磁导率的软磁性材料且是一个高电导率金属材料，当给它通交流电的同时施加一个 直流或者交流磁场时，就有可能使它的阻抗值发生很大的变化，这个效应就是巨磁阻抗 （GMI ）效应。1994 年，日本研究人员Mohri 等人在Co 基的非晶丝中发现了巨磁阻抗效应， [1] 利用这种特性即可制备各种灵敏度非常高的传感器，由此拉开了此方向的研究序幕 。 [2] [3] [4] [5] 人们已经在非晶和纳米晶的薄膜 、多层膜 、带材 和线材 中获得了很大的巨 磁阻抗效应，其磁场灵敏度2%-500%/Oe，比各向异性磁电阻（AMR ）和巨磁电阻（GMR ） 传感器高1 个数量级，是霍尔传感器的10-100 倍；而且GMI 传感器具有高灵敏度、响应速 度快、体积小等优点，利用材料的这种高灵敏度特性，可制作各种磁控开关、磁敏传感器、 位移传感器、角度传感器等，可广泛用于汽车工业、机 、交通运输、安保、电力、自动控 制、航空航天等各个行业。目前，实际使用中常用的具有GMI 效应的材料主要是通过热淬 急冷的工艺制备的非晶带或者非晶丝软磁材料，如CoFeSiB、FeCuNbSiB 等；具有GMI 效 应的磁性薄膜近年来也逐渐成为此方向的研究热点，因其可集成性、小型化等优势将有希望 成为未来GMI 传感器发展的重点方向。 2 巨磁阻抗效应的基本原理和发展现状 GMI 效应的原理和测量方法如图1 所示，当高电导率且高磁导率的GMI 磁性材料通过 交流电流时，其阻抗Z 随外加磁场Hex 的相对变化，通常可以采用如下两种方式中的任意之 一对其进行定义： 基金项目：本论文为教师特邀评述。 通讯作者：王建波（1975－），男，陕西省米脂县人，博士生导师， 育部“新世纪优秀人才支持计划”入选 者，中国穆斯堡尔谱学专业委员会秘书长，主要研究GHz 和MHz 用高频磁性材料。 联系方式：E-mail: wangj b@lzu.edu.cn，Tel.: 33 教师评述论文 《基地物理》 2014 年第3 期 图1. GMI 效应的示意图 其中，Z(H )指的是在外加磁场H 作用下，软磁材料达到磁化饱和状态时样品的阻抗，Z(H ) max ex 0 指的是Hex=0 时软磁材料的阻抗。需要注意的是，如果采用第二种定义方法，通常测量时需 要对样品 磁，使样品的初始状态为完全 磁状态。 GMI 效应的物理起源可以用多种模型进行描述，其中最主要的一种模型可以用高频下 趋肤效应导致的导体导电通路截面的降低来进行解释。导体的阻抗可以表达为