多孔硅纵向孔隙率与残余应力分布的研究-中国科技论文在线.PDFVIP

第28卷第4期 压 电 与 声 光 Vol_28No．4 2006年8月 PIEZ0ELECTECTRICS＆ ACOUSTOOPTICS Aug．2006 文章编号：1004—2474(2006)04—0443—03 多孔硅纵 向孔隙率与残余应力分布的研究 梁继然 ，胡 明 ，窦雁巍 ，雷振坤 ，房振乾 ，亢一澜 (1．天津大学 电子信息工程学院，天津 300072；2．大连理工大学 工程力学系，辽宁 大连 116024) 摘 要：利用 电化学方法在 P型重掺杂单晶硅 (100)基体上制备了多孔硅薄膜，通过质量计算法得到多孔硅的 孔隙率，并研究了多孔硅孔隙率随腐蚀深度变化的规律。利用显微拉曼光谱技术对多孔硅纵切面上的残余应力进 行了测量，结果表明，多孔硅的孔隙率随腐蚀时间／深度的增加有先增加后减少的趋势；多孔硅纵向上存在拉