浅谈量子反常霍尔效应及应用前景.pptVIP

（二）量子反常霍尔效应（QAHE） 量子反常霍尔效应不同于量子霍尔效应，它不依赖于强磁场而由材料本身的自发磁化产生。在“零磁场”中就可以实现量子霍尔态，更容易应用到人们日常所需的电子器件中。 量子反常霍尔效应的研究取得新进展： 清华大学物理系薛其坤、陈曦和贾金锋等组成的研究团队与中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）研究员马旭村领导的研究组合作，利用分子束外延技术，在硅、碳化硅和蓝宝石等单晶衬底上制备出了原子级平整的高质量三维拓扑绝缘体（Bi2Te3、Bi2Se3和Sb2Te3）薄膜（见图一所示的扫描隧道显微镜照片。照片尺寸：10纳米×10纳米）。原位角分辨光电子能谱测量显示，这些薄膜具有本征的绝缘体特征。三维拓扑绝缘体的量子薄膜的实现为理论预言的量子反常霍尔效应、巨大热电效应、激子凝聚等新奇量子现象的研究提供了基础，是在拓扑绝缘体材料制备方面的一个重要进展。利用这些高质量的薄膜材料，他们发现了拓扑绝缘体特有的背散射缺失现象，从实验上证明了拓扑量子态受时间反演对称性的保护，观察到了这种特殊的“两维电子气”在外磁场下的量子化行为（物理学上简称为“朗道量子化”，如图），证明了它具有无质量狄拉克费米子的特征。 专家对量子反常霍尔效应的解释 陈宇林解释道：“反常霍尔效应是固体中由电子自身的自旋和轨道运动耦合导致的一个输运过程。而在量子反常霍尔绝缘体中，自发磁矩和自旋轨道耦