扫瞄探针显微术在奈米级表面电性上的量测与应用.doc

PAGE PAGE 644 ■ ■ 物理雙月刊（廿五卷五期）2003年10月 奈米電性之掃描探針量測技術 文／曾賢德、果尚志 摘要 本文介紹如何利用掃描力顯微鏡中之 EFM、KFM、CFM、SCM、PFM 及 SNDM量測表面電性，包括表面電位、空間靜電荷、薄膜電容與壓電特性等，這些物理性質的奈米級量測與分析將對微觀尺度下物質特性的瞭解有相當大的助益。 一、前言 近年來由於半導體製程技術不斷進步，使得元件尺寸已縮小到次微米級甚至奈米等級，與此同時，奈米尺度的量測工具也日趨重要且多樣化。其中，掃描探針顯微術 (Scanning Probe Microscopy ，SPM) 的量測範圍可從原子等級到數百微米，可測量的物理量包羅萬象，並且擁有操控與改變表面狀態的能力，因此成為諸多工具中，發展最為迅速且應用廣泛的方法之一。SPM 的種類繁多，一般常見的是掃描穿隧顯微術 (Scanning Tunneling Microscopy，STM) 與掃描力顯微術 (Scanning Force Microscopy，SFM) 兩大類。此外還有延伸型工具，例如掃描式近場光學顯微鏡 (Scanning Near-field Optical Microscope，SNOM) 與掃描電容顯微鏡 (Scann