提高访存速度的措施.pdf

第六节 提高访存速度的措施 主存和CPU 之间存在速度差异 由于CPU 使用TTL，ECL 电路，而主存储器大多数使用MOS 电路，两者速度上的差 距导致快速的 CPU 等待慢速的主存储器。主存储器成为系统速度的瓶颈。为此要想办 法提高主存的速度。 改善主存速度的方法 存储芯片技术 增加数据宽度 单体多字存储器 体并行（多模块存储器） 单体多字系统 通过一次存取多个字来提高存储器的速度 在遇到转移指令或数据不连续时，失去效果 单体四字结构存储器： 多体并行系统 多体并行系统采用多个模块组成存储器 多模块存储器中包含多个小体，每个体有其自己的 MAR、MDR 和读写电路，可独立 组成一个存储模块。 根据不同的编址方式可分为连续编址和交叉编址 连续编址:主存地址高位表示模号，低位表示模内地址，使地址在同模块内连续 编址。 交叉编址:低位表示模号，高位表示模内地址。使地址交叉分散在各模块内。 地址在低位连续推进，再传送到高位。程序选中一个模块后，等到该模块全部单 元访问完毕，才跳到下一个体工作。因此，只要调度