西工大材料科学基础复习题.docVIP

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  • 2019-07-22 发布于福建
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? ??????? 作图表示立方晶体的晶面及晶向。 2.??????? 在六方晶体中,绘出以下常见晶向等。 3.??????? 写出立方晶体中晶面族{100},{110},{111},{112}等所包括的等价晶面。 {100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。 {110}=(110)十()+(101)+()+(011)+(),共6个等价面。 {111}=(111)+()+()+(),共4个等价面。 共12个等价面。 4.??????? 镁的原子堆积密度和所有hcp金属一样,为0.74。试求镁单位晶胞的体积。已知Mg的密度,相对原子质量为24.31,原子半径r=0.161nm。单位晶胞的体积为VCu=0.14 nm3(或1.4×10-28m3) 5.??????? 当CN=6时离子半径为0.097nm,试问: 1)??????? 当CN=4时,其半径为多少? 2)??????? 当CN=8时,其半径为多少?(1)0.088 nm;(2)0.100 nm 6.??????? 试问:在铜(fcc,a=0.361nm)的100方向及铁(bcc,a=0.286nm)的100方向,原子的线密度为多少? Cu原子的线密度为2.77×106个原子/mm。 Fe原子的线密度为3.50×106个原子/mm ??????? 镍为面心立方结构,其原子半径为。试确定在镍的(100),(110)及(111)平面上1中各有多少个原子。 1.6l×l013个原子/mm2;1.14X1013个原子/mm2;1.86×1013个原子/mm2。 8.??????? 石英的密度为2.65。试问: 1)??????? 1中有多少个硅原子(与氧原子)? 2)??????? 当硅与氧的半径分别为0.038nm与0.114nm时,其堆积密度为多少(假设原子是球形的)?1) 5.29×1028个矽原子/m3;?? (2) 0.33。 ??????? 在800℃时个原子中有一个原子具有足够能量可在固体内移动,而在900℃时个原子中则只有一个原子,试求其激活能(J/原子)。 9. 0.4×10-18/个原子。 ??? 若将一块铁加热至850℃,然后快速冷却到20℃。试计算处理前后空位数应增加多少倍(设铁中形成一摩尔空位所需要的能量为104600J)。 1.06×1014倍。 11.??? 设图1-18所示的立方晶体的滑移面ABCD平行于晶体的上、下底面。若该滑移面上有一正方形位错环,如果位错环的各段分别与滑移面各边平行,其柏氏矢量b∥AB。1)??????? 有人认为“此位错环运动移出晶体后,滑移面上产生的滑移台阶应为4个b,试问这种看法是否正确?为什么?2)??????? 指出位错环上各段位错线的类型,并画出位错运动出晶体后,滑移方向及滑移量。(1) 这种看法不正确。在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。位错环的柏氏矢量为b,故其相对滑移了一个b的距离。 (2) AB为右螺型位错,CD为左螺型位错;BC为正刃型位错,DA为负刃型位错。位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。 12.??? 设图1-19所示立方晶体中的滑移面ABCD平行于晶体的上、下底面。晶体中有一条位错线段在滑移面上并平行AB,段与滑移面垂直。位错的柏氏矢量b与平行而与垂直。试问: 1)??????? 欲使段位错在ABCD滑移面上运动而不动,应对晶体施加怎样的应力?2)??????? 在上述应力作用下位错线如何运动?晶体外形如何变化?(1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力τ0,的方向应与de位错线平行。 (2)在上述切应力作用下,位错线de将向左(或右)移动,即沿着与位错线de垂直的方向(且在滑移面上)移动。在位错线沿滑移面旋转360°后,在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b的台阶。 13.??? 设面心立方晶体中的为滑移面,位错滑移后的滑移矢量为。 1)??????? 在晶胞中画出柏氏矢量b的方向并计算出其大小。 2)??????? 在晶胞中画出引起该滑移的刃型位错和螺型位错的位错线方向,并写出此二位错线的晶向指数。 (1),其大小为,其方向见附图2.4所示。 (2) 位错线方向及指数如附图2.4所示。 14.??? 判断下列位错反应能否进行。 1)??????? 2)??????? 3)??????? 4)??????? (1) 能。几何条件:∑b前=∑b后=;能量条件:∑b前2=∑b后2= (2) 不能。能量条件:∑b前2=∑b后2,两边能量相等。 (3) 不能。几何条件:∑b前=a/b[557],∑b后=a/b[11ˉ1],不能满足。 (4) 不能。能量条件:∑b前2=a2

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