02硅烷法多晶硅制备技术.pptVIP

硅烷法多晶硅制备技术 浙江中宁硅业有限公司 2011.07.05 硅烷法多晶硅生产工艺的优势 耗电低。硅烷的分解温度为800℃，而主流的三氯氢硅法反应温度在1150℃左右,故还原电耗较低。 硅烷容易分解，材料利用率高。污染小。与多晶硅制备的主流工艺相比较不含氯化物，生产过程不副产氯化氢，三废排放少，对环境影响小； 尾气易处理。硅烷法所产生的尾气主要是氢气和少量未反应硅烷，两者都可经过适当的手段进行分离、可循环再用； 硅烷易提纯，为制备电子级高纯多晶硅创造了条件。 硅烷法多晶硅还原工艺可以进一步升级为流化床工艺，使多晶硅还原电耗降低到10—15千瓦时/公斤 硅烷法多晶硅生产技术 四氟化硅制备 四氢化铝钠制备 硅烷制备 多晶硅制备 四氟化铝钠干燥 硅烷提纯 硅烷充装 作为副产品 对外销售 作为主要产品 对外销售 作为主要产品 对外销售 四氟化硅（STF）的制备 以廉价的氟化钙、硫酸、石英砂和氟化氢等为主要原料来制备四氟化硅，制备过程分为两步进行。第一步氟化钙和硫酸在反应炉中反应生成氟化氢气体，冷凝成液体备用；第二步石英砂和氟化氢在硫酸的介质中反应生成四氟化硅（STF）气体。 四氢化铝钠（SAH）的制备 四氢化铝钠（SAH）的制备是通过三乙基铝、铝粉、在溶剂槽中混合，然后转送到四氢化铝钠（SAH）反应釜中进行合成。整个过程在氢气的氛围下进行。 四氢化铝钠（SAH）产品按照批次生