横向碳纳米管互连结构的分析.pdfVIP

摘要 随着集成电路特征尺寸的不断减小，铜互连线的电阻率不断增加和信号延迟也随之 增大，这使得器件性能不断降低，器件失效率大大增加。碳纳米管具有优异的电学性质 和热学性质，成为下一代理想的集成电路互连线材料备选之一，引起了研究人员的广泛 关注。然而碳纳米管作为互连线仍有很多亟需解决的问题，比如不兼容CMOS工艺， 高接触电阻，碳纳米管束密度低，达不到互连要求，碳纳米管的定位、定向生长等问题。 本文采用等离子体增强型化学气相沉积的方法制备横向碳纳米管，研究了催化剂种 类、催化剂的厚度、衬底温度、碳氢气体比例以及生长时间对横向碳纳米管形貌的影响， 通过扫描电镜，原子力显微镜，半导体参数分析仪等方法对样品进行了测试和表征，并 且对采用最优条件生长的碳纳米管进行了电学特性的测量。 不同催化剂对横向碳纳米管生长的影响，Fe催化剂制备出的碳纳米管管径约为 在同一温度下，对比不同厚度的催化剂，厚度为4nm的Fe催化剂制备的横向碳纳米管 要优于其他厚度制备出的碳纳米管。在550℃．650℃的温度范围内，Fe比Ni更适合用 作横向碳纳米管生长的催化剂。 衬底温度对横向碳纳米管生长的影响，随着衬底温度的提高，碳纳米管的密度越来 越大，而且其定向性变好。大量的碳纳米管簇拥生长造成