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第11章 静电场中导体和电介质 ;二. 导体静电平衡条件;3、静电平衡状态:导体表面和内部都无电荷作宏观定向移动的状态。;4、静电平衡条件;E= 0;+;5尖端放电;四、静电屏蔽;2、接地空腔导体还可屏蔽内电场;1）静电平衡的条件 ;例 无限大的带电平面的场中 平行放置一无限大金属平板. 求：金属板两面电荷面密度.;例. 两块大导体平板,面积为S,分别带电q1和q2,两极板间距远小于平板的线度. 求平板各表面的电荷密度.;讨论： （1）计算两金属板间的电场强度;例：金属球A与金属球壳B同心放置，球A半径为R0，带电q,金属壳B内外半径分别为R1,R2,带电为 Q,求（1）电荷分布；（2）球A和壳B的电势；（3）将B接地，各表面电荷分布和A、B电势；（4）若换成将A接地，各表面电荷分布和A、B电势。;（2）可以等效为真空中三个均匀带电的球面;（3）将B接地，各表面电荷分布如图。;静电平衡时电荷分布;讨论:内球接地,其上电荷为什么不为零？ ;;导体为等势体,求得球心O处的电势即可.;作业 P64 6 ，8，10;§11.2 静电场中的电介质;1 无极分子电介质;2有极分子电介质;;3、电介质的极化;§11.3 有电介质时的静电场和高斯定理;+ + + + + + ;2、说明：;*由;例. 自由电荷面密度为?0的平行板电容器, 其间充满相对介电常数为εr 的电介质，求极化电荷面密度。;例：两平行极板间距为 d , 极板面积为 S，Sd,面电荷密度为 ?0 , 其间插有厚度为 d’ 、相对电容率为 ?r 的电介质，如图 求 ：P1 、P2点的D和E；;完全类似:过P2点作高斯面, 左右底面分别在导体内和经过P2点。;例：将电荷 q 放置于半径为 R 相对电容率为 ?r 的电介质球中心，求：I 区、II区的 D、E、V。;作业 P64 9，11;行驶在上海世博园区内的超级电容公交车;一、孤立导体的电容; 两个半径相同的金属球，一为空心，一为实心，两者的电容值相比较 　（A）空心球电容值大　（B）实心球电容值大 　（C）两球电容值相等 （D）大小关系无法确定 ;1、电容器;4）电容器的耐压;4）计算电容器电容的一般步骤;例: 平行板电容器的电容;例：电容器两平行极板间距为 d , 极板面积为 S，Sd, 其间插有厚度为 d’ 、相对电容率为 ?r 的电介质，如图，求该电容器的电容。;例、球形电容器由半径为R1的球体和内半径为R3的导体球壳构成，其间有两层均匀电介质，分界面的半径为R2，相对介电常数分别为?r1和?r2 。求电容。; 三、电容器的串联和并联;2、电容器的串联;+Q1 -Q 1 ;例 如图，一平行板电容器极板面积为S，厚度为d1 ，中间一半体积内充有电容率为?1的介电质，另一半体积内充有电容率为?2的电介质，求该电容器的电容.;例 内半径为R1,外半径为R2的圆柱形电容器(R22R1),中间充以两种不同介质,相对介电常数分别为?r1和?r2=?r1/2,分界面半径为r.两介质的击穿电场强度都是EM. 问: 当电压升高时,哪层介质先被击穿? 最大电压为多少?;作业 P64 12，14，16， 17 ;§11.5 电场的能量 ;解 ：根据功能原理可知，电容器两个状态下的能量差就等于外力做的功。;二、静电场能量;2 静电场能量计算; 例　一球形导体，带电量q，置于一任意形状的导体空腔中，当用导线将两者连接后，则系统静电场能将 　（A）增加　 （B）减少 　（C）不变 　 （D）无法确定?;例：一个球半径为R，体电荷密度为?，相对电容率为?r,求此带电球体系统的静电能。;小体元取成球壳状;例：平行板电容器真空时;4.??位移矢量;解：电压不变即电键 K 不断开。;5.电容;作业P65 19,21;