SiC功率半导体器件的优势和发展前景.ppt

三相光伏逆变器 B6-Bridge 750 7 kW 开关频率：16.6 kHz 功率半导体器件 IGBT 2 (BSM15GD120DN2), IGBT 3 (FS25R12YT3), IGBT 4 (FS25R12W1T4) SiC-MOSFET (CNM 1009) 示例1 三相光伏逆变器效率 20年内IGBT将会和目前的SiC元件具有同样的性能 一台利用SiC晶体管7kW光伏逆变器的经济效益 能量增益 (每年) 最大再生能源发电补助/KWA 效率提高代来的增益 (每年) 效率提高带来的增益 (10年) 佛莱堡 (德国) 140KWh 0.45EUR 63EUR 630EUR 阿尔梅亚 (西班牙) 275KWh 0.44EUR 121EUR 1210EUR 马 赛 (法国) 250KWh 0.55EUR 137EUR 1370EUR 单相HERIC?-逆变器 H4-桥 + HERIC-开关管 350 5 kW 开关频率：16 kHz 功率半导体器件 IGBT: FGL40N120AND SiC Transistors: MOSFET (CNM 1009), JFET (SJEP120R063) SiC Diodes: C2D20120D 示例2 单相HERIC-Inverter效率 当MOSFET高温时，采用MOSFET和JFETs 的 效率相等 测量结果包括辅助源的损耗 效率与温度的关系(HERIC?-逆变器) 最高效率和温度无关 更小的散热装置 损耗减半 散热装置温度可以更高 效率与电压关系(HERIC?-逆变器) SiC晶体管最高效率与直流电压关系不大 可以用于宽范围的输入电压 逆变器最高效率提升图 未来Si的IGBT有望用SiC功率MOSFET代替，而Si的ＰiN整流二极管将会被SiC肖特基二极管取代。另外，由于SiC PN结二极管可以用低寿命的飘移区实现快恢复，在应用时， SiC功率MOSFET的内部体二极管可以取代并联的肖特基二极管，它将有利于简化电路结构。 SiC功率将会带来更好的效益。 随着SiC材料及器件工艺的不断进步， SiC功率器件的价格必将不断下降，SiC功率器件在电力电子工业中的推广应用也将是必然的趋势，因此，SiC功率器件的发展前景是十分美好的。 谢谢! 谢 谢！ 放映结束 感谢各位的批评指导！ 让我们共同进步 * * * * * * * * * * * SiC功率半导体器件的优势及发展前景 中国科学院半导体研究所 刘忠立 报告内容 1. Si功率半导体器件的发展历程及限制 2. SiC功率半导体器件的优势 3. SiC功率半导体器件的发展前景 1. Si功率半导体器件的发展历程及限制 Si功率半导体器件的发展经历了如下三代: 第一代-Si双极晶体管(BJT )、晶闸管（SCR）及其派生器件。 功率晶闸管用来实现大容量的电流控制，在低频相位控制领域中已得到广泛应用。但是,由于这类器件的工作频率受到dV/dt、di/dt的限制，目前主要用在对栅关断速度要求较低的场合（在KHz范围）。 在较高的工作频率，一般采用功率双极结晶体管，但是对以大功率为应用目标的BJT，即使采用达林顿结构，在正向导通和强迫性栅关断过程中，电流增益β值一般也只能做到10，结果器件需要相当大的基极驱动电流。此外，BJT的工作电流密度也相对较低（～50 A/cm2），器件的并联使用困难，同时其安全工作区（SOA）受到负阻引起的二次击穿的限制。 第二代-功率MOSFET。 MOSFET具有极高的输入阻抗，因此器件的栅控电流极小（IG~100nA数量级）。MOSFET是多子器件，因而可以在更高的频率下（100KHz以上）实现开关工作，同时MOSFET具有比双极器件宽得多的安全工作区。正是因为这些优点，使功率MSOFET从80年代初期开始得到迅速发展，已形成大量产品，并在实际中得到广泛的应用。 但是，功率MOSFET的导通电阻rON以至于跨导gm比双极器件以更快的速率随击穿电压增加而变坏,这使它们在高压工作范围处于劣势。 第三代-绝缘栅双极晶体管(IGBT)。 它是一种包括MOSFET以及双极晶体管的复合功率半导体器件,兼有功率MOSFET和双极晶体管的优点。自1982年由美国GE公司提出以来，发展十分迅速。 商用的高压大电流IGBT器件仍在发展中，尽关德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用,但其电压和电流容量还不能完全满足电力电子应