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恒流源电路 基本电流镜结构 电流复制的基本原理 相同的工艺参数制作的两个 相同的MOS器件具有相同 的栅源电压，并且都工作在 饱和区则其漏极电流完全相 等，即实现了所谓的电流复制 。 但由于存在沟道调制效应时，其漏源电压 VDS若不相等，则其电流也不会相同。 基本电流镜结构 在考虑沟道调制效应时有： 　　 　　　　　　 从上式可以看出：假如已有IR，只要改变M1与M2的宽长比，就可设计出Io，它即可以与IR相等，也可与IR成一比例关系，所以也称为比例电流镜，这种技术在模拟集成电路中有着广泛的应用，比如作为放大器的负载。 但是由于存在沟道调制效应，且VDS2是一变量，因此Io实际上不是一个恒流源。 基本电流镜结构 如何改善Io的恒流特性以实现真正意义上的电流源，可以看到原则上有两种方法： 1、减小以至消除M2的沟道调制效应（因为VDS1＝VGS1为定值，故M1不影响Io的恒流特性），即通过增大M2的沟道长度，以减小λ，增大输出阻抗，从而改善恒流特性。 2、设定VDS2＝VDS1，则可知Io与IR只与M1、M2的宽长比相关，从而得到具有很好的恒流特性的电流源。 基本电流镜结构 因为沟道调制效应在小特征尺寸的CMOS工艺中是不能消除的，因此通常是采用第二种方法来改善电流源的恒流特性，由此而设计出了多种恒流源电路结构。 另