IC有源元件与工艺流程介绍.pptVIP

* E-/D-NMOS和E-PMOS的电路符号 图 5.13 * E-NMOS的结构示意图(增强型VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 图5.14 E-NMOS的结构示意图 * D-NMOS的结构示意图(耗尽型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 图5.14 D-NMOS的结构示意图 * E-PMOS的结构示意图 (增强型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 图5.14 E-PMOS的结构示意图 * 5.7.3 E-NMOS工作原理图 VgsVt，Vds=0V 图5.15 不同电压情况下E-NMOS的沟道变化 * E-NMOS工作原理图 VgsVt，VdsVgs-Vt 图5.15 不同电压情况下E-NMOS的沟道变化 * E-NMOS工作原理图 VgsVt，VdsVgs-Vt 图5.15 不同电压情况下E-NMOS的沟道变化 * 5.7.4 NMOS工艺流程 图5.16 NMOS工艺的基本流程 * 表5.3 NMOS的掩膜和典型工艺流程 * 图5.17 NMOS反相器电路图和芯片剖面示意图 * 5.8 CMOS工艺 进入80年代以来，CMOS IC以其近乎零的静态功耗而显示出优于NMOS，而更适于制造VLSI电路，加上工艺技术的发展，致使CMOS技术成为当前VLSI电路中应用最广泛的技术。 * 5.8.1 1?Poly-, P阱C