单片机原理与接口技术第11章 I2C串行总线及单总线技术.pptVIP

11．2 单总线技术及其应用 11．2．1 单总线简介 1、硬件配置 单总线(1－Wire)是美国Dallas公司推出的外围串行扩展总线。单总线只有一根数据输入/输出线，所有单总线的器件都挂在这根线上 。 单总线的内部结构如图示，单总线接口是用来 实现供电和同步的；64位ROM用于存储由生产 厂家光刻的、全球惟一的、且不可更改的64位 序列号，其中最低8位是器件的类型号，功能 相同的一类器件具有相同的类型号，然后是 48位的器件序列号，最高8位是CRC校验位， 用于验证数据传输的正确性。 2、通信规程 单总线采用主从式、位同步、半双工串行方式通信，通信规程如下： （1）总线初始化，主控器先发复位脉冲，然后从器件发应答脉冲。 （2）ROM指令，主控器通过ROM指令来读取各从器件的ROM识别码（即64位序列号），以选择单总线上的某一个从器件，未被选中的从器件忽略主控器的后续指令。 （3）RAM指令，通过对从器件RAM的读/写操作，让外围器件实现某一功能。 所有单总线从器件与主控器之间的通信都遵循上述通信规程。 11．2．1 单总线简介 11．2．2　DS18B20构成的单总线测温系统 图11-11所示是由单总线构成的分布式温度测控系统， 图11-11 单总线构成的分布式温度测控系统 1. 数字温度传感器DS18B20 DS18B20是Dallas公司生产的单总线数字温度传感器，传感器直接输出的是温度信号数字值。DS18B20信号传输采用单总线结构，每片DS18B20都含有唯一的序列号，在一条单总线上可以挂接若干个数字温度传感器，单片机通过对器件的寻址，可以读取某一个传感器的温度值，采用数字温度传感器DS18B20可以极大地简化信号采集系统的电路结构。 1）DS18B20的特性及引脚 DS18B20采用3脚（或8脚）封装，如图所示。 其中，VCC和GND是电源和接地引脚， DQ是数据输入/输出引脚。 11．2．2　DS18B20构成的单总线测温系统 （1） 采用单总线技术，与单片机通信只需要一根I/O线，在一根线上可挂接多个DS18B20。 （2） 每个DS18B20具有一个独立的、不可修改的64位序列号，根据序列号可以访问对应的器件。 （3） 低压供电，电源范围从3～5V，可以本地供电，也可以直接从数据线上获取电源（寄生式供电）。 （4） 测温范围为－55℃～＋125℃，在－10℃～85℃范围内误差为±0.5℃。 （5）分辨率为9～12位，转换12位温度时间为750ms。 （6） 用户可自设定报警的上、下限温度值。 （7） 报警搜索命令可识别和寻址温度超出预定值的器件。 （8） 分辨率可由用户通过EEPROM设置为9～12位。 （9） DS18B20将检测到的温度值直接转化成数字量，并通过串行通信的方式与主控制器进行数据通信。 DS18B20具有如下特性： DS18B20的内部结构如图所示。 2）．DS18B20内部结构及功能 （1） 温度传感器 DS18B20测量温度时使用特有的温度测量技术，将被测温度转换成数字信号，测量结果存入温度寄存器中。 （2） 寄生电源 寄生电源由二极管VD1、VD2、寄生电容C和电源检测电路组成。DS18B20有两种供电方式：3.0～5.5V的电源供电方式和寄生电源供电方式(直接从数据线获取电源)。 外部电源供电方式：外部电源接VCC引脚通过VD2向器件供电。 寄生电源供电方式：VCC端接地，器件从单总线上获取电源。当I/O线是高电平时，DS18B20从I/O线上获得能量并存储在内部电容上，当I/O线呈低电平时，由电容C上的电压向器件供电。 2）．DS18B20内部结构及功能 图11-14 外部电源供电 图11-15 寄生电源供电 （3） 64位只读存储器ROM ROM由64位二进制数字组成，共分为8个字节，字节0的内容是该产品的厂家代号28H，字节1～6的内容是48位器件序列号，字节7是ROM前56位的CRC校验码。由于64位ROM码具有唯一性，在使用时作为该器件的地址，通过读ROM命令可以将它读出来。 （4） 高速暂存器RAM RAM是由9个字节的高速暂存器和非易失性电擦写EE PROM组成。其中字节0、1存储当前温度，字节2、3存储上、下限报警温度TH和TL，字节4是配置寄存器，字节8是RAM前64位的CRC校验码。 EEPROM用于存储TH、TL和配置存储器的值。 数据先写入RAM，经校验后再传给EEPROM。 2）．DS18B20内部结构及功能 温度存储格式与配置寄存器控制字的格式如表。 bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 b