电子与材料05p071锺朝安浅谈相变化记忆体.docVIP

TITLE from: SUBJECT ITRI-ITIS-MEMS- AUTHOR Rational You: RationalYou@ 【 FILENAME \p C:\Documents and Settings\820509\My Documents\■●★--.doc】All: NUMPAGES 18 pages( TIME \@ yyyy/M/d 2002/3/27)【PAGE2 】 淺談相變化記憶體● 〈( 〈(工研院電子工業研究所半導體元件技術組先進元件技術部工程師)鍾朝安〉《淺談相變化記憶體》〔電子與材料2002/05p71~79〕 關鍵詞﹕相變化(Phase Change)﹔硫屬化合物(Chalcogenide)﹔非揮發性(Non-Volatile)、記憶體(Memory)﹔結晶態(Crystalline State)﹔非晶態(Amorphous State)、電阻值(Resistance)。 摘要﹕隨著電腦的速度越來越快﹐記憶體的速度、穩定性及成本都將決定這個產業的未來發展﹐其中非揮發性記憶(Non-Volatile)的要求就日益重要﹐在幾種有發展潛力的產品(例如﹕MRAM 、FRAM、相變化記憶體)中﹐相變化記憶體是被認為進入門檻較低﹐且比較有希望很快被產品化的一種。以下將簡單介紹相變化記憶體的操作、原理、特性、優點、發展近況。 T