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第7章：图形刻蚀技术(Chapter 11);;问题： 常见的刻蚀对象：SiO2、Si3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、铝或铝合金、衬底材料等 即：金属刻蚀、介质刻蚀、硅（半导体）刻蚀 ;;;Etch Bias、 Undercut 、 Slope and Overetch;;S = ;对刻蚀的基本要求： 图形的高保真：横向腐蚀和各向异性腐蚀 刻蚀剖面： 选择比：光刻胶和不同材料的腐蚀速度 关键尺寸（CD）控制 均匀性：小线条和大硅片 清洁：残渣沾污 损伤：;7.1.湿法腐蚀：即，化学腐蚀(S11.1) 8.1.1 腐蚀液： SiO2： HF:NH4F:H2O=3毫升：6克：10毫升 ??36°C） Al： H2PO4、70~80 °C、乙醇稀释 Si3N4：H2PO4、 H2PO4：HNO3=3：1 （ SiO2膜） HF （Cr膜） 其它 定向腐蚀(P265~263) ;;;7.1.2 刻蚀中的质量问题： 图形畸变：曝光时间、显影时间、刻蚀速度 浮胶：粘附、前烘时间、曝光时间、 显影时间、刻蚀速度、腐蚀液 毛刺和钻蚀：清洁、显影时间、腐蚀液 针孔：膜厚不足、曝光不足、清洁、掩膜版 小岛：曝光、清洁、湿法显影、掩膜版 湿法腐蚀工艺的特点：速度快，成本底，精度不高。;7.2. 干法腐蚀：即，等离子刻蚀 Section 11.3 （重点阅读） 7.2.1. 原理和特点： 是一种物理-化学刻蚀； 是一种选择性很强的刻蚀 在低压中进行，污染小 与去胶工艺同时进行 表面损伤 置入等离子场中的分子因等离子能量的激励生成了性的 游离基分子、原子，以这些活性游离基分子、原子引起 的化学反应，形成挥发性产物，而使被蚀物剥离去掉。 活性游离基分子、原子不受电场影响，因而各向同性。;;RF;;; F基刻蚀原理：（SiO2为例） CF4 2F+CF2 （游离基） SiO2+4F SiF4+2O SiO2+2CF2 SiF4+2CO Cl基… ;;;氧的作用：加快 氢的作用：减慢 高分子生成：刻蚀速度、选择性 反应气体：CF4、CHF3、CF6 ;;InGaAs刻蚀仿真;刻蚀前结构;Rate.Etch Machine=PEMach \ Plasma \ Pressure = 3.75 Tgas = 300.0 Tion = 3000.0 Vpdc = 32.5 Vpac = 32.5 \ Lshdc = 0.005 Lshac = 0.0 \ Freq = 13.56 Nparticles = 4000 \ Mgas = 40.0 Mion = 40.0 \ Constant \ Energy.Div = 50 \ Qio = 1.7e-19 Qcht = 2.1e-19 # Define the plasma etch parameters for InGaAs Rate.Etch Machine=PEMach \ Plasma \ Material=InGaAs \ k.i = 1.1 k.f= k.d=;[PRESSURE=n] ＃定义等离子体刻蚀机反应腔的压强 [TGAS=n] ＃定义等离子体刻蚀机???应腔中气体的温度 [TION=n] ＃定义等离子体刻蚀机反应腔中离子的温度 [VPDC=n] ＃等离子体外壳的DC偏压 [VPAC=n] ＃等离子外壳和电珠之间的AC电压 [LSHDC=n] ＃外壳的平均厚度 [LSHAC=n] ＃外壳厚度的AC组成 [FREQ=n] ＃AC电流的频率 [NPARTICLES=n] ＃用蒙托卡诺计算来自等离子体的离子流的颗粒数 [MGAS=n] ＃气体原子的原子质量 [MION=n] ＃等离子体离子的原子量 [(CHILD.LANGM|COLLISION|LINEAR|CONSTANT)]＃计算等离子体外壳的电压降的模型，默认为CONSTANT;改变刻蚀腔压强;;;;;改变等离子体刻蚀速率的线性部分;改变刻蚀腔压强时的刻蚀剖面;改变刻蚀腔压强对离子的能量－角度分布的影响;各向异性刻蚀;Section 11.3 （重点阅读） 反应离子刻蚀（RIE） Reactive Ion Etch与前面的等离子刻蚀相比，等离子体的激励增大，反应气体发生???电子