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实验10.1 各向异性磁电阻测量 焦方宝 131120060 【摘要】 材料的磁电阻效应被应用的非常广泛，本次实验通过对磁性合金的各向异性磁电阻的测量，初步了解磁电阻的一些特性，同时掌握室温磁电阻的测量方法。 【引言】 材料的电阻率随着外加磁场的不同而改变的现象就是磁电阻效应。我们把磁场引起的电阻率变化写成，其中和分别表示在磁场H中和没有磁场时的电阻率。磁电阻的大小常表示为： 其中可以是或，电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关，即具有各向异性，称之为各向异性磁电阻（AMR）。 此后人们陆续发现了，MR很大的巨磁电阻（GMR）效应和庞磁电阻（CMR）效应，以及隧道结磁电阻（TMR） 【关键词】 磁电阻 亥姆霍兹线圈 【正文】 一、实验原理 材料的磁电阻和其在磁场中的磁化方向有关，即磁阻值是其磁化方向与电流方向之间夹角的函数。外加磁场方向与电流方向的夹角不同，饱和磁化时电阻率不一样，通常取外磁场方向与电流方向平行和垂直两种情况测量AMR。即有： 若退磁状态下磁畴是各向同性分布的，畴壁散射变化对磁电阻的贡献较小，将之忽略，通常取： 对于大多数材料故 AMR定义为： 如果，则说明该样品在退磁状态下有磁畴结构，即磁畴分布非完全各项同性。图（1）是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的Ni81Fe19的磁电阻曲线，很明显 ρ∥ρ（０），ρ⊥ρ（０），各向异性明显。图中的双