桥式驱动功率MOSFET的电磁干扰与抑制.pdf

维普资讯 第 37卷第 1期 南 京 航 空 航 天 大 学 学 报 Vo1．37No．1 2005年 2月 JournalofNanjingUniversityofAeronautics＆．Astronautics Feb．2005 桥式驱动功率MOSFET的电磁干扰与抑制 吴凤江，孙 力，高晗璎，王有琨 (哈尔滨工业大学 电气工程系 ，哈尔滨 ，150001) 摘要：为解决功率MOSFET 因栅极驱动信号振 荡产生的过热损坏 问题，从MOSFET 的模型入手，给出了考虑驱 动电路各寄生参数的半桥逆变电路等效模型．深入分析了栅极振荡的产生机理，推导 了各参数与振荡之 间的关 系表达式，绘制了以各参数为 自变量的振 荡三维时域暂 态关系曲线 ，并以此为依据进行参数优化设计 ，通过增加 MOSFET开通时间，最大程度地抑制振荡。理论分析和 实验结果表 明，改进后 的驱动 电路 简单、实用 ，实现 了系 统 的安 全稳 定运 行 。 关键词 ：MOSFET；逆变器 ；振 荡 中图分类号 ：TM 131．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1005—2615(2005)01—0029—05 ElectromagneticInterferenceofPowerM OSFET withBridgeDriveand ItsSuppression U Feng—jiang，SUN Li，GAO Han—ying，WANGYou—kun (DepartmentofElectricalEngineering，HarbinInstituteofTechnology，Harbin，150001。China) Abstract：InordertoeliminatetheoscillationoftheM 0SFET gate，acircuitmodelofthehalf—bridgein— verterconsideringstrayparametersofthedrivecircuitisputforwardbasedontheM OSFET mode1．By analyzingthecircuittopologytheoscillationiscausedbythehighdv／dtproducedduringthepower MOSFET switchingandjunctioncapacitanceanddistributedinductance．Thedrivecircuitparameters aredevisedaccordingtothetransienttimingdomainthree—dimensionalrelationshipcurvesofparameters responding to theoscillation．Theoscillation can beobviously suppressed with enhancing M OSFET turn—on time．Both thetheoreticalanalysisandexperimentalresultsindicatethatthe improvedcircuit canmeettheM OSFET driverequirement． Keywords：M OSFET ；inverter；oscillation 功率MOSFET 以其开关速度快、驱动功率小、 加负压，以抵消振荡的影响，但负压 电路往往 占用 功耗低等优点在 中小容量 的变流器 中得到了广泛 空间，同时增加 了成本_l2]。本文从MOSFET 的电 应用。随着半导体集成技术的发展 ，出现了大量的 路模型人手，深入分析了栅极振荡产生的机理，并 功率器件专用驱动芯片，能够较好地解决功率器件 在此基础上提 出了简单有效的解决方法 。理论分析