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等离子刻蚀工艺文件 目录 TOC \o 1-3 \h \u 1.目的 4 2.适用范围 4 3.职责 4 4. 等刻工艺 4 4.1工艺目的 4 4.2 工艺原理 4 4.3 工艺参数 5 5. 工艺过程控制 5 5.1 职责 5 5.2 控制项及指标： 5 5.2.1 流程 5 5.2.2 参数控制指标 6 5.2.3 工艺控制目标 6 5.2.4反应及处理流程 7 6. 异常处理 7 6.1返工片 7 6.2原因 7 6.3 处理流程 7 7. 操作流程 8 8. 刻蚀作业规范 8 9. 注意事项 10 1.目的 确保等刻工艺处于受控和稳定的状态。 2.适用范围 适用于本公司等离子刻蚀工序的工艺控制。 3.职责 本文件由工艺部负责制定，更新和修订，由工艺主管监督并保证如实执行，工艺部具体执行。 本文件必须经过工艺部的签字认可并备案，方可交付执行。 4. 等刻工艺 4.1工艺目的 经过磷扩散后的硅片，必须通过等离子体刻蚀的方法，将四个边沿的n型层去除掉，如图1。 图1 等离子刻蚀过程的示意图 以达到防止因电池短路导致电池片性能参数下降的目的。 4.2 工艺原理 扩散过程中,在硅片的周边及表面都会形成扩散层，硅片四边的扩散层使电池短路，必须除去。利用高频辉光放电激活成的高能活性氟离子与硅片反应，产生挥发性的产物SiF4 ，从而达到边缘腐蚀的目的。 其反应方程式如下： 4.3 工艺参数 4.3.1 本工艺方案适用于中联科伟达公司生产的等离子体刻蚀设备； 4.3.2 本工艺方案适用于125mm单晶电池片生产； 4.3.3 时间工艺参数 时间参数（秒） 设备 预抽 主抽 送气 辉光 清洗 充气 1~5 120～140 120～140 60～120 450～650 150 30～60 4.3.4 工艺参考配方 步号 步名称 步时间(s) 压力(Pa) CF4 (sccm) O2 (sccm) 功率 (W) 备注 1 预抽 120 0 0 0 2 主抽 120 0 0 0 压力小于10Pa 3 送气 60 100　 170 20 0 4 辉光 570 100 170 20 500 辉光乳白色 5 抽空 120 0 0 0 6 清洗 150 0 0 0 7 充气 30 0 0 0 5. 工艺过程控制 5.1 职责 工艺过程的监测和记录、工艺异常的及时汇报由当班质检员负责，工艺异常的及时解决由当班工艺员负责。 5.2 控制项及指标： 5.2.1 流程 5.2.1.1检查并记录每次加工的工艺recipe，保证其参数设置符合4.3.3中的规定。如不符合，必须立即通知当班工段长停止该管的生产任务，同时报告当班质检组长、工艺员。事件处理完毕，由质检员给出处理报告，当班工艺员、工段长签字后，方可重新投片生产。 5.2.1.2规范穿着净化服，戴手套和口罩，保持片盒、夹具的清洁，禁止不带手套接触硅片，避免硅片受到污染； 5.2.2 参数控制指标 工艺参数 偏差允许范围 检测手段 备注 射频功率 500~700W ±50W 1次/批，记录数值 功率在500~700W之间 工艺压强 100Pa ±10 Pa 1次/批，记录数值 主抽后工艺腔内压强低于10Pa，方可使用 CF4流量 160~180sccm ±1sccm 1次/批，记录数值 O2流量 20sccm ±1sccm 1次/批，记录数值 功率反射率 ＜10W 1次/批，记录数值 设备不稳定时实时观察 5.2.3 工艺控制目标 分项 目标值 检测仪器 检测方法 备注 功率反射率 ＜10W 目测 目测反射率指针在10W以下 功率 700W 目测 目测功率指针在700W附近 完全性 周边光亮 无暗斑 冷热探针测试仪、目测 将两探针放在硅片周边， 冷热探针显示P即合格 装片 四周整齐无突出 目测 目测 5.2.4反应及处理流程 当班质检员通过检测发现工艺控制目标未达标，应立即通知生产车间的工序长停止该设备的生产任务，同时报告当班质检组长、工艺员。 由当班工艺员判断事件的严重性，必要时负责召集当班设备工程师、质检员、操作相关人员进行问题跟踪、设备排查、工艺试验；由当班工艺员给出事件处理意见及汇总报告。 事件处理完毕，必须经当班设备工程师、工艺员、质检员、工序长四方认可并会签后，才能复产。大的工艺事故