解势能曲线如图.docVIP

解： 势能曲线如图 29.用近自由电子模型处理习题28。求此晶体的第一个以及第二个禁带宽度。 解：由28题知： 是以4b 为周期的函数，可定义V(x)在[-2b,2b]上，即取n=0(此步骤为定义周期函数) 可见，是偶函数，它的付氏级数为余弦函数。参见高数P66,P60 即 第一个禁带宽度： 第二个禁带宽度： 30.已知一维晶体得电子能带可写成 式中a是晶格常数。试求： = 1 \* roman i.能带地宽度； = 2 \* roman ii.电子在波矢k的状态时的速度； = 3 \* roman iii.能带底部和顶部电子的有效质量。 解 当时 ——带底 当时 能带宽度=电子在波矢K的状态时的速度： 3）能带底部和顶部电子的有效质量 （正有效质量） （负有效质量） 31.平面正三角形晶格，如图。相邻原子间距是a,试求 1）正格子基矢和倒格子基矢。 2）画出第一布里渊区，并求出此区域的内接圆的半径。 解：原胞如图：正格子基矢 倒格子基矢：设为为正交的单位矢量 = 2 \* ROMAN II）在倒格子空间离原子最近的有四个格点，相应的倒格矢为，，，。它们的垂直平分线的方程是 ，这些垂直平分线围成的区域就是第一布里渊区；由图上可得证。第一布区为菱形，其内接圆半径 （方程的具体形式读者可由不连续方程导出） 32.平面正六方形晶格如图，六角形两个边的间距是a， - - 基矢：试画出此晶格的第一.二.三.布区 解：方法一 令为正交的单位矢量即 同理：（图见下页） 方法二.1）平面正六角形面积为（） ， （，） 2）倒格子 令由.可得： 由或得 由得， 得 以上十二条直线在K空间围成第一.二.三布里渊区如图所示 33、平面正六方晶格是复式格子。若原胞中的原子属于同元素，试求此晶体的结构因子。 解：平面正六方晶格，其原胞基矢为， 设： 平面正六方晶格在（1，0）（0，1）处为等同原子 所以结构因子的公式 34.用紧束缚法导出体心立方晶格S态电子的能带 试画出沿方向（）和的曲线 解：用紧束缚的结果 令 （在原点） 最近邻的有8个， 由所以沿方向 曲线如图 35．用紧束缚方法处理面心立方晶格的s态电子，若只计最近邻的相互作用，试导出其能带为： 并求能带底部电子的有效质量 简单立方 解：紧约束的结果： 令 最近邻的12个原子坐标为 求能带底部电子的有效质量 在附近展开上述表达式 注： 36．一维晶体由N个原子组成，晶体常数为a,孤立原子中基态波函数为 ，是正的常数，试写出； 此晶体电子的紧束缚近似的波函数 能量更高状态中晶体电子的正交化平面波 解：（1）紧束缚近似的波函数 （2）能量更搞状态中晶体电子的正交化平面波 由正交化平面波的一般形式 具体到一维情况，则 式中由正交条件； 决定 37，一维晶体的电子的赝势 电子的赝波函 式中n 是任意整数，试求的关系式 解；由赝势方程； 将及代入得 方程两端对应项系数必须相等，例如只看第n项 并将A代入 此式即为得递推公式，或称为得循环关系式。 38．某晶体中电子得等能量曲面是椭球面, 求能量E到E+dE之间得状态数? 解:由于各项异性,对E到E+dE之间得体积原应等于一个椭球壳得体积,椭球体积公式为 , 计入自旋V为晶体体积,按行波解电子得状态密度为 状态数为: 39.平面正六方形晶格,六角形两个对边的间距是a,如果每个原胞由两个电子,试画出此晶体的费米圆周圆周。 解:由32题已知平面正六方形晶格的简约布区面积为 空间单位面积的状态数为: 晶体中电子的总数为,所以 40、在磁场B=10(T)的条件下研究铜的迪·哈斯——范·阿耳芬效应，为了获得好的实验结果，必须满足条件kTh,试由此确定合适得实验温度。如果杂质浓度为,电子受杂质散射的平均自由时间为，且= ，试问样品浓度高到什么程度仍然能观察到效应（提示：为了观察到效应必须满足条件1） 解：由已知kTh,其中= 称为回旋频率 由，秒 且由 实验温度 杂质浓度高到仍可观察到迪.哈斯---范耳芬效应.