《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(六).docVIP

《模拟电子技术》模拟试题六 一、选择题（每空2分 共30分） 1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（ ）。 A、12V B、5V C、9V 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN） 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真，下半周失真时为（ ）失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率 4、差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ ）能力。 A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ ）之间变化。 A、0~20 B、20~200 C、200~1000 7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ ）Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2 8、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（ ）（ ）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（ ）（ ）（ ）。 A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真 10、振荡器的输出信号最初由（ ）而来的。 A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号 二 、填空题（每空1分 ，共32分） 1、空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（ ）反之称为（ ） 3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（ ）栽流子形成，其大小决定于（ ），而与外电场（ ）。 4、稳定二极管稳压时是处于（ ）偏置状态，而二极管导通时是处于（ ）偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（ ）控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（ ）所以Ic也（ ) 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（ ）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（ ）负反馈，为了提高输入电阻采用（ ）负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（ ）通频带（ ）失真。 9、反馈导数F=（ ）。反馈深度是（ ）。 10、差分放大电路能够抑制（ ）信号，放大（ ）信号。 11、OCL电路是（ ）电源互补功放，OTL是（ ）电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为（ ）。低频信号称为（ ）、高频信号称为（ ）。 13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（ ）。共基极电路比共射极电路高频特性（ ）。 14、振荡电路的平衡条件是（ ），（ ）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（ ）。 三、分析计算题（共38分） 1、已知：电路如图所示 V1、V2为理想二极管。求：1）哪只二极管导通 2）UAO=？（6分） 2、已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2k RE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20ηF rbe=1.5K β=100 CE=10ηF （取小数点后一位） 求：1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分) 3、已知：电路如图所示U1=1V U2=2V求(1）U01=? 2)U0 (6分) 4、已知：RC振荡电路如下图所示 R=7.9KΩ C=0.02ηF R1=5KΩ 求： 1）fo 2）Rt冷态电阻 3）指明Rt的温度特性（9分） 5、已知：电路如图IQ=5mA R1=500Ω R2=0.4KΩ 求：输出电压Uo （7分） 试题